芯片由集成电路经过设计、制造、封装等一系列操作后形成,一般来说,集成电路更着重电路的设计和布局布线,而芯片更看重电路的集成、生产和封装这三大环节。但在日常生活中,“集成电路”和“芯片”两者常被当作同一概念使用。

IC 芯片的设计流程可以简单分成如下:

什么是晶圆?

在半导体行业,常会提到以尺寸标示的晶圆厂,如 8 寸或是 12 寸晶圆厂,然而,所谓的晶圆(wafer)到底是什么东西?晶圆,是制造各式电脑芯片的基础。我们可以将芯片制造比拟成用乐高积木盖房子,藉由一层又一层的堆叠,完成自己期望的造型(也就是各式芯片)。然而,如果没有良好的地基,盖出来的房子就会歪来歪去,不合自己所意,为了做出完美的房子,便需要一个平稳的基板。对芯片制造来说,这个基板就是接下来将描述的晶圆。

(Souse:Flickr/Jonathan Stewart CC BY 2.0)

首先,先回想一下玩乐高积木时,积木的表面都会有一个一个小小圆型的凸出物,藉由这个构造,我们可将两块积木稳固的叠在一起,且不需使用胶水。芯片制造,也是以类似这样的方式,将后续添加的原子和基板固定在一起。因此,我们需要寻找表面整齐的基板,以满足后续制造所需的条件。

在固体材料中,有一种特殊的晶体结构──单晶(Monocrystalline)。它具有原子一个接着一个紧密排列在一起的特性,可以形成一个平整的原子表层。因此,采用单晶做成晶圆,便可以满足以上的需求。然而,该如何产生这样的材料呢,主要有二个步骤,分别为纯化以及拉晶,之后便能完成这样的材料。

  如何制造单晶的晶圆

▲ 硅柱制造流程(Source: Wikipedia)

接着,就是拉晶的步骤。首先,将前面所获得的高纯度多晶硅融化,形成液态的硅。之后,以单晶的硅种(seed)和液体表面接触,一边旋转一边缓慢的向上拉起。至于为何需要单晶的硅种,是因为硅原子排列就和人排队一样,会需要排头让后来的人该如何正确的排列,硅种便是重要的排头,让后来的原子知道该如何排队。最后,待离开液面的硅原子凝固后,排列整齐的单晶硅柱便完成了。

8寸、12寸又代表什么意思呢?指的是我们产生的晶柱,长得像铅笔笔桿的部分,表面经过处理并切成薄圆片后的直径。至于制造大尺寸晶圆又有什么难度呢?如前面所说,晶柱的制作过程就像是在做棉花糖一样,一边旋转一边成型。有制作过棉花糖的话,应该都知道要做出大而且扎实的棉花糖是相当困难的,而拉晶的过程也是一样,旋转拉起的速度以及温度的控制都会影响到晶柱的品质。也因此,尺寸愈大时,拉晶对速度与温度的要求就更高,因此要做出高品质 12 寸晶圆的难度就比 8 寸晶圆还来得高。

只是,一整条的硅柱并无法做成芯片制造的基板,为了产生一片一片的硅晶圆,接着需要以钻石刀将硅晶柱横向切成圆片,圆片再经由抛光便可形成芯片制造所需的硅晶圆。经过这么多步骤,芯片基板的制造便大功告成,下一步便是堆叠房子的步骤,也就是芯片制造。至于该如何制作芯片呢?

层层堆叠打造的芯片

在介绍过硅晶圆是什么东西后,同时,也知道制造 IC 芯片就像是用乐高积木盖房子一样,藉由一层又一层的堆叠,创造自己所期望的造型。然而,盖房子有相当多的步骤,IC 制造也是一样,制造 IC 究竟有哪些步骤?我们简单科普下IC 芯片制造的流程。

在开始前,我们要先认识 IC 芯片是什么。IC,全名积体电路(Integrated Circuit),由它的命名可知它是将设计好的电路,以堆叠的方式组合起来。藉由这个方法,我们可以减少连接电路时所需耗费的面积。下图为 IC 电路的 3D 图,从图中可以看出它的结构就像房子的樑和柱,一层一层堆叠,这也就是为何会将 IC 制造比拟成盖房子。

从上图中 IC 芯片的 3D 剖面图来看,底部深蓝色的部分就是上一篇介绍的晶圆,从这张图可以更明确的知道,晶圆基板在芯片中扮演的角色是何等重要。至于红色以及土黄色的部分,则是于 IC 制作时要完成的地方。

首先,在这裡可以将红色的部分比拟成高楼中的一楼大厅。一楼大厅,是一栋房子的门户,出入都由这裡,在掌握交通下通常会有较多的机能性。因此,和其他楼层相比,在兴建时会比较复杂,需要较多的步骤。在 IC 电路中,这个大厅就是逻辑闸层,它是整颗 IC 中最重要的部分,藉由将多种逻辑闸组合在一起,完成功能齐全的 IC 芯片。

黄色的部分,则像是一般的楼层。和一楼相比,不会有太复杂的构造,而且每层楼在兴建时也不会有太多变化。这一层的目的,是将红色部分的逻辑闸相连在一起。之所以需要这么多层,是因为有太多线路要连结在一起,在单层无法容纳所有的线路下,就要多叠几层来达成这个目标了。在这之中,不同层的线路会上下相连以满足接线的需求。

  分层施工,逐层架构

知道 IC 的构造后,接下来要介绍该如何制作。试想一下,如果要以油漆喷罐做精细作图时,我们需先割出图形的遮盖板,盖在纸上。接着再将油漆均匀地喷在纸上,待油漆乾后,再将遮板拿开。不断的重复这个步骤后,便可完成整齐且复杂的图形。制造 IC 就是以类似的方式,藉由遮盖的方式一层一层的堆叠起来。

 制作 IC 时,可以简单分成以上 4 种步骤。虽然实际制造时,制造的步骤会有差异,使用的材料也有所不同,但是大体上皆采用类似的原理。这个流程和油漆作画有些许不同,IC 制造是先涂料再加做遮盖,油漆作画则是先遮盖再作画。各流程如下:

  • 金属溅镀:将欲使用的金属材料均匀洒在晶圆片上,形成一薄膜。

  • 涂布光阻:先将光阻材料放在晶圆片上,透过光罩(光罩原理留待下次说明),将光束打在不要的部分上,破坏光阻材料结构。接着,再以化学药剂将被破坏的材料洗去。

  • 蚀刻技术:将没有受光阻保护的硅晶圆,以离子束蚀刻。

  • 光阻去除:使用去光阻液皆剩下的光阻溶解掉,如此便完成一次流程。

最后便会在一整片晶圆上完成很多 IC 芯片,接下来只要将完成的方形 IC 芯片剪下,便可送到封装厂做封装,至于封装厂是什么东西?就要待之后再做说明啰。

纳米制程是什么?

三星以及台积电在先进半导体制程打得相当火热,彼此都想要在晶圆代工中抢得先机以争取订单,几乎成了 14 纳米与 16 纳米之争,然而 14 纳米与 16 纳米这两个数字的究竟指的又是哪个部位?有什么意义?而在缩小制程后又将来带来什么好处与难题?以下我们将就纳米制程做简单的说明。

  纳米到底有多细微?

首先了解下纳米究竟是什么意思。在数学上,纳米是 0.000000001 公尺,但这是个相当差的例子,毕竟我们只看得到小数点后有很多个零,却没有实际的感觉。如果以指甲厚度做比较的话,或许会比较明显。

用尺规实际测量的话可以得知指甲的厚度约为 0.0001 公尺(0.1 毫米),也就是说试着把一片指甲的侧面切成 10 万条线,每条线就约等同于 1 纳米,由此可略为想像得到 1 纳米是何等的微小了。

知道纳米有多小之后,还要理解缩小制程的用意,缩小电晶体的最主要目的:就是可以在更小的芯片中塞入更多的电晶体,让芯片不会因技术提升而变得更大;其次,可以增加处理器的运算效率;再者,减少体积也可以降低耗电量;最后,芯片体积缩小后,更容易塞入行动装置中,满足未来轻薄化的需求。

再回来探究纳米制程是什么,以 14 纳米为例,其制程是指在芯片中,线最小可以做到 14 纳米的尺寸,下图为传统电晶体的长相,以此作为例子。缩小电晶体的最主要目的就是为了要减少耗电量,然而要缩小哪个部分才能达到这个目的?左下图中的 L 就是我们期望缩小的部分。藉由缩小闸极长度,电流可以用更短的路径从 Drain 端到 Source 端(有兴趣的话可以利用 Google 以 MOSFET 搜寻,会有更详细的解释)。

(Source:www.slideshare.net)

此外,电脑是以 0 和 1 作运算,要如何以电晶体满足这个目的呢?做法就是判断电晶体是否有电流流通。当在 Gate 端(绿色的方块)做电压供给,电流就会从 Drain 端到 Source 端,如果没有供给电压,电流就不会流动,这样就可以表示 1 和 0。(至于为什么要用 0 和 1 作判断,有兴趣的话可以去查布林代数,我们是使用这个方法作成电脑的)

  尺寸缩小有其物理限制

不过,制程并不能无限制的缩小,当我们将电晶体缩小到 20 纳米左右时,就会遇到量子物理中的问题,让电晶体有漏电的现象,抵销缩小 L 时获得的效益。作为改善方式,就是导入 FinFET(Tri-Gate)这个概念,如右上图。在 Intel 以前所做的解释中,可以知道藉由导入这个技术,能减少因物理现象所导致的漏电现象。

更重要的是,藉由这个方法可以增加 Gate 端和下层的接触面积。在传统的做法中(左上图),接触面只有一个平面,但是采用 FinFET(Tri-Gate)这个技术后,接触面将变成立体,可以轻易的增加接触面积,这样就可以在保持一样的接触面积下让 Source-Drain 端变得更小,对缩小尺寸有相当大的帮助。

最后,则是为什么会有人说各大厂进入 10 纳米制程将面临相当严峻的挑战,主因是 1 颗原子的大小大约为 0.1 纳米,在 10 纳米的情况下,一条线只有不到 100 颗原子,在制作上相当困难,而且只要有一个原子的缺陷,像是在制作过程中有原子掉出或是有杂质,就会产生不知名的现象,影响产品的良率。

如果无法想像这个难度,可以做个小实验。在桌上用 100 个小珠子排成一个 10×10 的正方形,并且剪裁一张纸盖在珠子上,接着用小刷子把旁边的的珠子刷掉,最后使他形成一个 10×5 的长方形。这样就可以知道各大厂所面临到的困境,以及达成这个目标究竟是多么艰巨。

随着三星以及台积电在近期将完成 14 纳米、16 纳米 FinFET 的量产,两者都想争夺 Apple 下一代的 iPhone 芯片代工,我们将看到相当精彩的商业竞争,同时也将获得更加省电、轻薄的手机,要感谢摩尔定律所带来的好处呢。

告诉你什么是封装

经过漫长的流程,从设计到制造,终于获得一颗 IC 芯片了。然而一颗芯片相当小且薄,如果不在外施加保护,会被轻易的刮伤损坏。此外,因为芯片的尺寸微小,如果不用一个较大尺寸的外壳,将不易以人工安置在电路板上。因此,封装就是将集成电路或分立器件芯片装入特制的管壳或用特等材料将其包容起来,保护芯片免受外界影响而能稳定可靠地工作;同时通过封装的不同形式,可以方便地装配(焊接)于各类整机

目前常见的封装有两种,一种是电动玩具内常见的,黑色长得像蜈蚣的 DIP 封装,另一为购买盒装 CPU 时常见的 BGA 封装。至于其他的封装法,还有早期 CPU 使用的 PGA(Pin Grid Array;Pin Grid Array)或是 DIP 的改良版 QFP(塑料方形扁平封装)等。因为有太多种封装法,以下将对 DIP 以及 BGA 封装做介绍。

实际上,在集成电路的封测领域,中国已经算是世界主要玩家了。总体来说,依靠收购,中国公司完成了大逆袭和跨越式发展,而目前全球大收购已经接近尾声,封测产业竞争已经进入短兵相接阶段,因为对中国来说,全球可并购公司已经差不多了。目前国内集成电路封装已经形成了四大领军企业:长电科技、通富微电、华天科技和晶方科技。

收购的结果,中国排名第一、全球排名第六的长电科技一举将全球行业排名第四的星科金朋纳入囊中,第六+第四,长电科技在全球半导体行业的排名也进入前三,是一场扎扎实实的战略并购,获得了在台湾,韩国,新加坡的多个工厂以及全部先进技术。值得一提的是,由于台湾对大陆资本收购台湾先进工厂严防死守,结果长电科技不得不剥离了星科金朋的台湾工厂资产,可见台湾对大陆先进工业的提防程度。

长电科技事实上已经成为国家队的一员,而国家队的入主就是源自于2015年的收购。下图为2017年12月的股权结构,中芯国际是第一大股东,江苏新潮科技第二,大基金第三。

在设计领域,我们的DRAM,GPU,NAND FLASH,功率半导体等大批不同种类的芯片设计都还从来没有设计出能占有不可忽视市场份额的产品,哪怕是海思的处理器,市场份额也不到10%。当然在一些细分领域还是不错,比如汇顶科技的指纹识别芯片。

在制造领域,中芯国际还在为28nm HKMG高端制程量产苦苦努力的时候,台积电2018年都要量产7nm了,3nm已经在研发了。

而在封装领域,我国企业技术水平和世界一流水平已经不存在代差,体量已经进入世界前三位,且发展速度显著高于其他竞争对手。

而且在国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”的支持下,封装测试设备也在迅速的国产化。像集成电路后道封装用的光刻机,上海微电子公司的500系列步进投影光刻机已经占到了国内市场的80%以上的份额。

下图为2017年中国“极大规模集成电路制造设备及成套工艺”给予补助的部分集成电路封装产线生产设备研发项目。

下图为2017年5月研究机构Yole Développement发布的《先进封装产业现状-2017版》报告,在先进封装晶圆(区别于传统封装方式)份额方面,长电科技以7.8%超过日月光、安靠(Amkor)、台积电及三星等,成为全球第三,仅次于英特尔和硅品。

报告指出,在2016~2022年期间,在先进晶圆封装领域,Fan-out(扇出型)是增长速度最快的先进封装平台,增长速度达到了36%,紧随其后的是2.5D/3D TSV平台,增长速度为28%。

至2022年,扇出型封装的市场规模预计将超过30亿美元,而2.5D/3D TSV封装的市场规模到2021年预计将达到10亿美元。

也就是说,Fan-out技术将在先进晶圆封装技术中逐渐成为主流。长电科技在公司财务报告里面非常清楚的写明了:

“封装技术领先:Fanout(eWLB)和 SiP 成为本公司两大先进封装技术的突出亮点,不仅在技术上而且在规模上都处于全球领先地位。”

长电科技说领先是有底气的,事实上他们是全球第一家量产12英寸晶圆Fan out技术的厂家。

  传统封装,历久不衰

首先要介绍的是双排直立式封装(Dual Inline Package;DIP),从下图可以看到采用此封装的 IC 芯片在双排接脚下,看起来会像条黑色蜈蚣,让人印象深刻,此封装法为最早采用的 IC 封装技术,具有成本低廉的优势,适合小型且不需接太多线的芯片。但是,因为大多采用的是塑料,散热效果较差,无法满足现行高速芯片的要求。因此,使用此封装的,大多是历久不衰的芯片,如下图中的 OP741,或是对运作速度没那么要求且芯片较小、接孔较少的 IC 芯片。

至于球格阵列(Ball Grid Array,BGA)封装,和 DIP 相比封装体积较小,可轻易的放入体积较小的装置中。此外,因为接脚位在芯片下方,和 DIP 相比,可容纳更多的金属接脚

相当适合需要较多接点的芯片。然而,采用这种封装法成本较高且连接的方法较复杂,因此大多用在高单价的产品上。

▲ 左图为采用 BGA 封装的芯片。右图为使用覆晶封装的 BGA 示意图。(Source: 左图 Wikipedia)
  行动装置兴起,新技术跃上舞台

然而,使用以上这些封装法,会耗费掉相当大的体积。像现在的行动装置、穿戴装置等,需要相当多种元件,如果各个元件都独立封装,组合起来将耗费非常大的空间,因此目前有两种方法,可满足缩小体积的要求,分别为 SoC(System On Chip)以及 SiP(System In Packet)。

在智慧型手机刚兴起时,在各大财经杂誌上皆可发现 SoC 这个名词,然而 SoC 究竟是什么东西?简单来说,就是将原本不同功能的 IC,整合在一颗芯片中。藉由这个方法,不单可以缩小体积,还可以缩小不同 IC 间的距离,提升芯片的计算速度。至于制作方法,便是在 IC 设计阶段时,将各个不同的 IC 放在一起,再透过先前介绍的设计流程,制作成一张光罩。

然而,SoC 并非只有优点,要设计一颗 SoC 需要相当多的技术配合。IC 芯片各自封装时,各有封装外部保护,且 IC 与 IC 间的距离较远,比较不会发生交互干扰的情形。但是,当将所有 IC 都包装在一起时,就是噩梦的开始。IC 设计厂要从原先的单纯设计 IC,变成了解并整合各个功能的 IC,增加工程师的工作量。此外,也会遇到很多的状况,像是通讯芯片的高频讯号可能会影响其他功能的 IC 等情形。

此外,SoC 还需要获得其他厂商的 IP(intellectual property)授权,才能将别人设计好的元件放到 SoC 中。因为制作 SoC 需要获得整颗 IC 的设计细节,才能做成完整的光罩,这同时也增加了 SoC 的设计成本。或许会有人质疑何不自己设计一颗就好了呢?因为设计各种 IC 需要大量和该 IC 相关的知识,只有像 Apple 这样多金的企业,才有预算能从各知名企业挖角顶尖工程师,以设计一颗全新的 IC,透过合作授权还是比自行研发划算多了。

  折衷方案,SiP 现身

作为替代方案,SiP 跃上整合芯片的舞台。和 SoC 不同,它是购买各家的 IC,在最后一次封装这些 IC,如此便少了 IP 授权这一步,大幅减少设计成本。此外,因为它们是各自独立的 IC,彼此的干扰程度大幅下降。
  

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  ▲ Apple Watch 采用 SiP 技术将整个电脑架构封装成一颗芯片,不单满足期望的效能还缩小体积,让手錶有更多的空间放电池。(Source:Apple 官网)

采用 SiP 技术的产品,最着名的非 Apple Watch 莫属。因为 Watch 的内部空间太小,它无法采用传统的技术,SoC 的设计成本又太高,SiP 成了首要之选。藉由 SiP 技术,不单可缩小体积,还可拉近各个 IC 间的距离,成为可行的折衷方案。下图便是 Apple Watch 芯片的结构图,可以看到相当多的 IC 包含在其中。

完成封装后,便要进入测试的阶段,在这个阶段便要确认封装完的 IC 是否有正常的运作,正确无误之后便可出货给组装厂,做成我们所见的电子产品。至此,半导体产业便完成了整个生产的任务。

半导体供应链分布总结:


自1988年以来,IC代工厂的成功主要通过IDM外包的形式促进销售增长。

目前IC代工厂主要有两类客户:

一类叫IDM,如英特尔、三星、美光、TI、恩智浦、东芝、英飞凌、ST等,它们是集芯片设计、制造、封装和测试等多个产业链环节于一身的企业,有些甚至有自己的下游整机环节。

十大IDM企业:

1、英特尔(Intel)(收购了Altera)

2、三星(Samsung)

3、海力士半导体(SK Hynix)

4、美光(Micron)(收购了尔必达)

5、德州仪器(TI)(收购了国半)

6、恩智浦(NXP)(收购了Freescale(飞思卡尔))

7、东芝(Toshiba)

8、英飞凌(Infineon)(收购了IR)

9、意法半导体(ST)

10、索尼(Sony)

另一类叫Fabless,如高通、博通、联发科、展讯、AMD等等,它们没有芯片加工厂,自己设计开发和推广销售芯片,与生产相关的业务外包给专业生产制造厂商,那就是晶圆代工厂(Foundry),如台积电、格罗方德、中芯国际、台联电等。

Fabless(纯设计,无晶圆厂)企业很多,如:

高通(Qualcomm)

安华高(Avago)(收购了博通)

联发科(MTK)

英伟达(NVIDIA)

超微(AMD)

深圳市海思

Apple

亚德诺半导体(ADI)(收购Linear)

瑞萨电子(Renesas)

美满科技(Marvell)

赛灵思(Xilinx)

展讯

安森美(ON)(收购了Fairchild、Aptina)

罗姆半导体(ROHM)

联咏(Novatek)

戴乐格半导体(Dialog)

瑞昱(Reltek)

奇景光电(Himax)

凌云半导体(Cirrus Logic)

莱迪思(Lattice)

大唐半导体

中国华大

奕力

敦泰

中兴

瑞芯微(Rockchip)

全志(Allwinner)

珠海炬力(ACTIONS)

格科微

汇顶科技

思比科微

国芯

国民技术

君正

澜起

盈方微

思立微

......

如上图,是国外知名调研机构IC Insights近日发布的2017年全球前十大Fabless排名。国内有两家厂商跑进了前十名,分别是海思和紫光集团(包括了展讯和RDA) 。日本无一家Fabless入榜。高通依然稳居全球Fabless首位。排名第四的联发科,是排名前十的厂商中,唯二负增长的企业。英伟达和AMD在依赖于人工智能的火热,在过去一年里业绩喜人。特别值得一提的是ADM。其推出了一系列的新品,让他们在和Intel的竞争中,重获了不少优势。IC Insights表示,和Fabless 芯片供应商与晶圆厂的关系休戚相关不一样,Fabless IC的营收增长和IDM的关系是此消彼长的。

观察2017年全球前十大晶圆代工业者排名,整体排名与2016年相同,台积电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)、联电分居前三,其中台积电产能规模庞大加上高于全球平均水平的年成长率,市占率达55.9%,持续拉大与竞争者的距离。

全球排名第二的格罗方德受惠于新产能的开出与产能利用率提升,2017年营收呈现年增8.2%的相对高成长表现。

在晶圆代工市场排名第三的联电于今年量产14nm,但仅占全年营收约1%,然而,在整体产能提升与产品组合转换带动下,实际营收年成长率达6.8%。

而与台积电同为10nm制程技术先驱的三星(Samsung),则因采用的大客户仅有高通(Qualcomm),致使成长受限,排名第四。

排名第五的中芯虽然持续扩大资本支出,然而,受限于2017年实际开出的产能有限与28nm良率的瓶颈未突破,使得成长率低于全球市场平均。

高塔半导体(TowerJazz)及华虹宏力则透过产能扩增,在市场对8寸厂需求持续畅旺下,带来大于10%的年成长。力晶则因调升代工业务比重,交出高成长率成绩单。

另一方面,在5G与电动车的需求驱使下,可观察到晶圆代工业者积极的投入第三代半导体材料GaN及SiC的开发,如台积电提供GaN的代工服务及X-Fab公布SiC晶圆代工业务将于2017第四季贡献营收。

展望2018年,除7nm先进制程节点将带动整体产值之外,在2018年为5G试营运重要的观察年下,第三代半导体的代工服务所带来的产业生态链变化,同为市场值得关注的重点。

全球五大硅晶圆供货商包括日商信越半导体(市占率27%)、胜高科技(市占率26%),台湾环球晶圆(市占率17%)、德国Silitronic(市占率13%)、南韩LG(市占率9%)。

全球硅晶圆市场第一季度合约价平均涨幅约达10%,20纳米以下先进制程硅晶圆更是大涨10美元,一次性激活整个上游晶圆供应链。上游晶圆供应商涨价,台积电、三星、英特尔等晶圆代工厂也会随之涨价,那么半导体集成电路成本上升,也会涨价,引起一系列的连锁涨价效应。

目前,在智能卡,固定和无线网络、消费电子、家电所用芯片,以及PC机外围芯片等产品领域,我国已经有若干集成电路设计制造企业,自主品牌业务迅速增长。

根据来自中国半导体行业协会的数据,中国内地集成电路设计产业销售收入从22年的21.6亿元增长到26年的186亿元,年均增长71.3%。位居27年销售额前五位的企业分别是中国华大集成电路、深圳海思半导体、上海展讯通信、大唐微电子、珠海炬力集成电路。我国集成电路的本土“巨头”的业务范围主要集中在智能卡、多媒体、通信卡等低端业务上。同时,这些企业在成长早期的某个三至五年时间段,都发生过业务量迅猛增长。

目前,全球芯片主要以美日欧企业为主,高端市场几乎被这三大主力地区垄断。在高端芯片领域,由于国内厂商尚未形成规模效应与集群效应,所以其生产仍以“代工”模式为主。

到2015年年底,全球共有94家先进的晶圆制造厂商,其中17家在美国,71家在亚洲(其中中国有9家),6家在欧洲。日本在上世纪80年代处于领先地位,但自90年代开始其全球半导体市场份额显着下降,至2015年仅有3家日本芯片制造商位列全球排名前20——东芝、瑞萨电子和索尼。而与此同时,东亚其他国家已成为动态随机存取存储器市场的主要公司。韩国三星电子和海士力目前是世界第二和第三大半导体公司。

根据美国半导体产业协会(SIA)的最新统计数据显示,2017年1-2月,中国和美国的芯片市场规模份额扩大,分别为33.10%和19.73%,日本和欧洲芯片市场份额有所下降,分别为9.29%和9.12%。中国芯片市场是全球最大、增长最快的市场,但是对外依存度过高。

信息来源:百度,芯思想,ittbank,电子世界

整理:生意汇商学院

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