5Mask

目前制作非晶硅基板用的基本为5Mask工艺，即需要五道光刻工艺。

第一道光刻工艺：形成栅电极图形，其主要作为扫描线走线、面板周边配线、端子部金属以及一些标记图案（标记图案用于接下来工序的对位基准）。

第二道光刻工艺:形成半导体图案,即非晶硅岛,作为TFT沟道。

第三道光刻工艺:形成源漏金属层,主要包括数据线TFT源漏电极。

第四道光刻工艺:形成接触孔,主要存在于TFT漏极、跳线处以及端子区第五道光刻工艺:形成ITO电极,主要作为像素电极、端子表面电极、跳线连接等。

这五道Mask相对成熟,良率也较为稳定。而每一道光刻工艺又包含曝光、显影、刻蚀、剥离四步,每一步都需要投入材料、人力、时间,如果能减少光刻数量,则可以降低制造的成本。由此产生了4Mask工艺。

4Mask

与5Mask不同的是,4Mask工艺将半导体层与源漏金属层采用同一道Mask制作,但是这一道Mask与普通Mask不同,它能对不同位置的光刻胶施加不同程度的曝光量。这种Mask有两种,一种是半色调掩膜板(Half- Tone Mask),另种是灰色调掩膜板(Gray- Tone Mask)。

4Mask工艺的主要步骤如下：

第一道光刻工艺:连续沉积非晶硅半导体层和源漏金属层,其中非晶硅层采用CVD沉积,而金属层采用PVD成膜。

第二道光刻工艺:涂布光刻胶。

第三道光刻工艺:对不需要金属的区域的源漏金属区的光刻胶进行曝光(不同的眼光量)、显影、刻蚀。金属采用湿刻，而非晶硅采用干刻。

第四道光刻工艺：对光刻胶进行灰化处理，暴露出沟道区金属，再进行金属湿刻以及N+Si干刻，并剥离光刻胶。

4Mask与5Mask对比

4Mask与5Mask相比较,主要是减掉了一道Mask制作以及相应的光刻胶涂布、曝光机显影工艺,节省了制作成本。

目前,4Mask工艺也存在着工艺要求较高、良率较低的问题,其大规模推广还需要解决很多的问题。

4Mask与5Mask工艺对比—检查与修复

识别下方二维码，马上报名参会！

工程师/技术人员专属VIP免费通道：

参会费用

1、门票费用为1600￥/人，可叠加其他优惠。

2、2-4人门票费用为1300￥/人。

3、5人及以上1100元￥/人

4、优惠项：转发至朋友圈并截图上传可减100￥

门票费用包含参会、茶歇、资料袋及中午自助餐

联系方式

会议赞助 菁小姐 Aurora

手机：18681529304

邮箱：jing01@oledindustry.com

会务 李小姐 Yilia

手机：18923716373

邮箱：wenlu@oledindustry.com

点击“阅读原文”，马上报名！