今年年初就有消息传出，三星在研发5nm FinFET工艺技术，引起业内人士和网友们的广泛关注。紧接着在今日，三星官网上就开始在官网上称，三星电子已经完成了5nm EUV的开发，并对芯片做了更大面积的扩展以及超低功耗功能。
三星电子这些年在在芯片方面虽然不如高通，但是在市场上占据了相关可观的市场份额，在华为加入后，其劲头虽有所波动，但是还是足以站稳脚跟。而且近些年，三星加快了芯片的研究，逐步从7nm发展到现在的5nm。
三星这次将会基于极紫外（EUV）在工艺产品中添加另一个尖端节点，三星称这项技术能够再次证明三星自己在先进晶圆代工市场中依然处于较为领先的位置。可以说，三星在这方面确实占据着优势。值得一提的是，三星电子在已经完成了5nm FinFET工艺技术的基础上，开始为客户提供有关样品。
三星这次开发5nm FinFET工艺技术主要是基于自己之前7nm纳米工艺技术做了很大的提升。接下来，我们就一起看一下5nm FinFET究竟做了哪些改变吧！
首先，与7nm相比，5nm FinFET工艺技术在逻辑区域效率方面提高了25%，性能上提高了将近10%，同时，在功耗上降低了20%左右，基于这些，三星5nm FinFET工艺技术还将有更多、更加创新的标准单元结构。
其次，因为三星之前就拥有7nm的自研成果和专利，因而，5nm FinFET工艺技术将会拥有所有7nm知识产权，而且此前7nm的相关客户过渡到5nm方面，这将会极大降低迁移成本，并预先验证设计生态系统，所以5nm产品的开发时间也极大地缩小。
此外，5nm FinFET工艺技术在EUV光刻技术上的优势也不可小觑。此前，三星第一次在7nm工艺上采用了EUV光刻技术的工艺节点，并已经向业界提供首批基于EUV新产品的商业样品，而且预计今年7nm将开始量产。而在6nm工艺上，三星在EUV工艺节点也做了提升，目前已有了6nm芯片的流片产品和相关合作客户。由此可看，三星在5nm FinFET在EUV方面将会依然有所提升。
据悉，目前三星目前正在扩展EUV的工艺技术的生产，三星的EUV的工艺技术目前已经在韩国华城的S3的生产线上进行专业化生产，而三星为了扩大EUV产能，从而在华城开启EUV的新生产线，预计在明年该EUV新产线将会开始增产。这也表示，三星很有可能会在EUV的发展上加大力度。
对于此次5nm FinFET的研发成功，三星电子铸造业执行主席副总裁Charlie Bae表示，成功完成5nm技术的研发，已经证明了三星基于EUV的节点的能力，而且接下来，为了满足客户对先进工艺的需求和增加下一代产品的区别度，将会加快基于EUV技术的产品的批量生产。
可以说，三星对于芯片方面的技术进展很快，而且去的相当大的成果。但是，三星芯片目前在市场上的销量并不算是太乐观，所以貌似三星在提升芯片设计技术的同时，还需要提升一下内在配置和相关的宣传力度等。
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