国产光刻机处于低端水平，刻蚀机水平位于世界前沿，下文具体说一说，国产光刻机的最高水平是上海微电子的90nm制程，世界顶尖的光刻机是ASML的7nm EUV光刻机，ASM已经开始研制5nm制程的光刻机。相对来说国产光刻机制造领域与国际先进水平有很大的差距，高端光刻机全部依赖进口，中芯国际今年将会引进ASML最新的7nm制程的EUV光刻机，一定程度上减小了与台积电、三星的差距。

国产刻蚀机技术领先，中微半导体的介质刻蚀机、硅通孔刻蚀机位于全球前三，中微半导体的介质刻蚀机赢进入台积电7nm、10nm的生产线，中微半导体的刻蚀机制造工艺达到了5nm，已经通过了台积电的验证，国内晶圆代工厂中芯国际50%以上的刻蚀机采用了中微半导体。

提到中微半导体，不得不说尹志尧博士，尹志尧在美国硅谷从事半导体行业20多年，在世界最大的半导体企业担任副总裁。2004年时，60岁的尹志尧放弃百万年薪，带领三十人的团队回国创办了中微半导体，在芯片制造设备领域与巨头直接竞争。刻蚀机是芯片制造设备中重要性仅次于光刻机的第二重要设备，光刻机相当于画匠，刻蚀机相当于雕工。

光刻机，用比较形象的描述就是将电路图印在晶圆上，刻蚀机把光刻机印好的图案刻在晶圆上，主要利用化学途径选择性地一处沉淀层的特定部分。刻蚀机主要分为介质、多晶、金属等几种，目前比较流行的是介质刻蚀，占比超过了50%，中微电子的介质刻蚀可以实现5nm的制程。

在芯片制造领域，国内的短板在于光刻机，与国外先进技术有一定的差距，刻蚀机处于世界领先的水晶，特别是中微电子的5nm芯片刻蚀机，此外还有北方华创的刻蚀机、盛美的清洗设备，处于世界领先水平。