浦科特在去年二月份发布了如今热销的M8V和M9Pe系列固态。前者主打SATA，后者M9Pe系列固态则主打NVMe协议，在去年8月份，我们就测评了M9PeG 256G和512G的版本，而在最近收到了M9Pe GN的1T版本，今天就写篇文章，带大家看看M9Pe GN 1TB 表现如何。

浦科特的M9Pe系列一共分为三款，固态本身并没有什么区别，主要是通过散热方式和安装方式来区分，其中M9Pe GN是无散热片、M.2接口适合超薄本；

M9Pe G有轻型散热、M.2接口适合台式机或者游戏本；

还有一款是M9Pe Y 有重型散热、支持RGB、PCI-E3.0 x4接口，适合高端DIY玩家、RGB爱好者、台式机用户。

今天文章的主角是其中的M9Pe GN 1T版本，无散热片、M.2接口的。

外观方面与之前浦科特M9Pe G有很明显的区别，M9Pe GN在外包装上没有开天窗式的镂空设计，因为取消了镂空的设计，所以眼睛的位置相较也更加居中了，产品的一些诸如支持NVMe、5年保修、M.2 2280等特性也在正面有所标注。

包装的背面，浦科特直接将产品的性能标注出，与之前的M9Pe G系列固态性能发挥一致，最大的读写性能是一致的，可见是否有散热对于性能发挥影响不是很大。

另外一同标注的还有产品的电压、尺寸、重量和一些认证信息，右侧则使用了14种语言表达了“M9Pe NVMe系列将带来前所未有的非凡游戏体验！”

在外包装的顶部，简单的标注了产品的品牌、型号、容量。

而浦科特M9Pe GN的SN、产地、固件版本、二维码等信息则标注在了包装的底部。

产品的包装延续了浦科特比较简洁的风格，只有一颗安装螺丝和保护壳。

浦科特M9Pe GN主控由马牌（Marvell）提供，编号为88SS1093，支持NVMe 1.1、支持3D NAND颗粒，支持PCI-e 3.0 X4速率、最高支持2TB容量、支持第三代LPDC、支持AES256加密，核心方面采用了三颗主频为500MHz的ARM R5核心，由台积电28NM制造工艺制造；

缓存由三星提供的LPDDR3内存，编号为K4E8E324EB-EGCF，容量为1G；

颗粒由东芝提供，编号为TH58TFT1T23BAEF的东芝3D NAND 64层TLC原厂颗粒，PCB正反各两颗，共计4颗，单颗容量为256G，4颗组成1T容量，没有OP的设计。

性能测试方面使用了如下的配置：

CPU：英特尔 I7 8086K OC5.0G 1.3V

主板：华硕 ROG M10F

内存：金士顿 掠食者 DDR4 3333 8G

显卡：英伟达RTX2060 6G

硬盘：英特尔P3600 800G （系统盘）

浦科特M9Pe GN 1T （测试盘）

散热：酷冷至尊 冰神 B240 CPU一体散热

机箱：主板盒

电源：振华G850 全模组电源

系统：Windows 10 专业版 1903

驱动：英特尔官方驱动、计算机电源模式 高性能

首先瞅一眼CDI的检测信息，最初因为电脑的PCI-E通道分配问题，所以插上识别为PCIe 3.0X2速率，只进行了截图而后更换为正常速率进行的测试，Z370平台伤不起。。。。。。

除此之外比较瞩目的就是52度的待机温度了，不过因为M9Pe G系列的固态硬盘测温点设定在闪存部分，一开机就有52度显然是不正常的，而后的测试为45度。

浦科特M9Pe GN对于AIDA64也有比较好的支持，可以检测到大部分的信息。

为了让电脑上的一堆NVMe设备正常使用，所以只能委屈显卡了，不过主板居然给降速到了PCI-E 2.0 X1的速率。。。。重新设置后也只有PCI-E 3.0 X8速率，让出了8条PCI-E 3.0的CPU直连通道给M.2设备。

首先瞅一瞅AS SSD的成绩，分别测试了1G和10G两个数据量，顺序读写比较相似，其余部分则有些许下降，特别是4K随机写入这部分；

通过顺序写入没有特别大的变化可以的出浦科特M9Pe GN1T版本的SLC Cache容量是大于10G的，而和之前的M9PE G 512G的成绩对比，读取差距不是很大，写入方面稍强一些。

CDM方面同样是两个数据量，1G和32G两个数据量测试，因为测试的机制问题，基本上是M9Pe GN 1T最佳的成绩了，在1G数据量的测试中基本符合了官方的3200M/S顺序读取和2100M/S顺序写入，读取稍强、写入稍弱。

在进行SLC Cache容量测试的时候顺便就把散热也测试了下，使用了ROG M10F主板自带的M.2马甲，室温为25度（空调间）。

可以看到浦科特M9Pe GN 1T的SLCCache容量在15G左右，缓外速度在500M/S~900M/S之间浮动，同时在进行200G的顺序读写过程中硬盘哨兵测的最高温为50度（闪存温度）。

温度部分特地制作了一个表格，其中软件检测部分因为检测点的位置问题，检测的温度为闪存的温度，而在使用温度枪检测的时候检测的是主控上，所以温度相较于闪存要高出很多；

另外在200G的顺序读写过程中，在80G左右时温度达到70度，在150G开始达到了最高温，也就是80度，并且始终维持在80度左右，只有瞬间出现了81度，因而得出主控的温度墙为80度。

而比较神奇的是，在温度达到80度开始反而反映读写速度的折线图开始趋于平缓，在读取部分甚至要平缓很多，比较神奇。

相对而言高温对于M9Pe GN的日常的性能发挥没有特别大的影响，不过能改善散热还是要尽可能的去改善散热。

在翻阅了之前的M9Pe G 512G测评中，固件版本为1.04（这次测评的版本为1.07），在温度测试这一环节，1.04固件版本中使用温度枪测出的主控最高温为95度，可见浦科特通过多次的固件更新，在优化过后，温度出现比较大的下降。

通过TxBENCH进行了低强度的50%seq write/50% seq read 和低强度的50% rand write/50% rand read读写测试，相较于之前的测试，这一项就属于比较复杂情况下的应用测试了，得出的成绩分别为seq读写366M/S，rand读写为124M/S，将对来说比较低，不过这个测试也针对的不是消费级低强度的使用，所以成绩难免不太好看，这里只简单做个参考。

对比方面拿出了我自己在使用的英特尔P3600 800G来进行，格式化为745G还有350G左右空余。

一样的测试情况，顺序读写部分为540M/S，要高出M9Pe GN1T版本很多，rand读写部分则要少一些，不过整体而言浦科特M9Pe GN还是要弱于英特尔P3600很多的，不过两个固态本质上就不是一类的产品，所以也没有什么直接比较的价值，放出这个成绩只是让大家有个数。

以上测试还是低强度的测试，在高强度测试的情况下，P3600也是扛不住的，这类的测试基本上不会在日常使用中遇到模拟的情况，偏向于企业级应用，所以作为消费者看看就好。

浦科特M9Pe系列虽然发布已经一年多，不过性能现在依旧很强，还是稳居消费级一线的水平，而通过不断的降价，性价比也逐渐体现，在发布一年多的时间内，浦科特也通过多次的固件更新，让温度表现更加优异。

算起来与上一次测评时隔正好一年，老版1.04固件下最高温95度，新版固件1.07锁定80度，性能还没有明显的下降，价格却降了一个等级，一年前买256G的价格如今买得到512G甚至还有些富裕。

虽说浦科特M9PeG已经不再是新鲜的产品，但是通过浦科特不断的更新固件，价格不断的下探，不论是性价比还是温度表现都更加的出色，即便是如今也还具备很高的选择价值。