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今天上午，西安三星12英寸闪存芯片二期第二阶段项目正式启动。

三星电子一期投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目；二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片。

其中，二期项目第一阶段投资约70亿美元，明年3月竣工投产；第二阶段投资80亿美元，2021年下半年竣工。二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户。

目前，三星在三个地方生产3D NAND：韩国的华城、平泽和中国的西安。自2014年以来，该公司就一直在其位于西安的工厂生产NAND芯片。最近，该公司在其位于平泽的工厂增加了第二条生产线，预计将于明年投产。

有分析人士表示，三星为了打击国产自主内存，正在加大投资，以保证足够的创新。今年9月，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

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