下一代5G芯片是麒麟1020、A14、高通骁龙875、以及三星的Exynos 1000。其中麒麟系列、苹果的A系列和高通的骁龙系列大多数由台积电代加工，而三星的Exynos 1000则由三星自己加工。不过可以确定的是，这四款5G旗舰芯片，均为5nm工艺设计，但是跟以往不同的是，不仅仅是在芯片设计上遇到瓶颈，更是在加工工艺上也遇到了瓶颈。
为什么5nm工艺跟7nm工艺相比，相差多个技术跨度
这里先简单的科普一下：目前所说的7nm工艺或者14nm工艺，主要是栅极宽度，我们知道，晶体管是一种具有场效应的晶体，晶体管中，源极和漏极是由硅元素连接起来的，栅极上的0/1的开关控制着电流是否通过。但是当栅极的宽度变得低于一定程度的时候，栅极就不能起到“隔断/控制”的作用，源极和漏极就会互通。以往14nm以上的时候，芯片公司主要关注的是芯片工艺和硅晶组合，但是到了7nm以下，特别是5nm已经达到了“电场的极限”，或者说是半导体工艺在目前物理学上的一个极限点。（PS：这里的解释不一定严禁，但是能够辅助不太了解的朋友，有个大致的概念）
目前解决以上问题只有两条路，第一条路就是突破物理极限，因为在前些年物理学的极限还是22nm，当时也说的不能再低了，但是技术逐年还是在突破。第二条路就是寻找到另外的半导体，新型的合成半导体材料，用来代替目前的硅元素。但是为了满足目前手机市场或者其他市场的迫切需求，5nm芯片势在必行。
研发芯片是理论，那么量产芯片就是最好的实践
华为和高通都宣称已经研发出来了5nm的芯片，并且采用了各自的特殊工艺技术，但是这种实验环境下的工艺技术，能否在保证良品率的情况下实现量产，就需要芯片加工企业，例如台积电或者三星等芯片加工企业，还有国内的中芯国际。
5nm跟7nm最大的区别就是，5nm的芯片中对蚀刻机的要求更高，虽然说在技术领域上蚀刻机相比于光刻机技术难度要低一些，但是随着芯片规格的越来越小，蚀刻机难度也随着增加，特别是到了5nm芯片工艺，蚀刻机难度已经基本上等同于光刻机难度，而在蚀刻机技术方面，国产技术在全球属于数一数二的。国内的中微半导体已经在2019年就可以量产5nm蚀刻。这相当于在芯片研发上实现了弯道超车。
5nm芯片的制造，台积电无法一家独大了
因为麒麟1020的量产势在必行，5nm的芯片想要实现量产，就必须使用国内的5nm工艺蚀刻机。这种技术上的突破，从侧面也减轻了来自美国的压力，因为苹果的A14芯片，想要量产，除非不找台积电加工，否则就必须要使用中微的5nm蚀刻机技术。如此一来，除了三星之外，高通和苹果相当于都离不开中国的5nm芯片蚀刻机。
对于华为来说，麒麟1020跟台积电有着较长时间的合作，而中微更是不用说，在华为的鼎力支持下，国内芯片技术也将成为反向制约的一种手段。而麒麟1020也将势必会比苹果的A14和高通的骁龙875先一步实现量产，届时随着华为Mate40的发布，华为芯片，将成为全球首发的5nm手机芯片，当之无愧的走向技术No.1。
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