（记者 陈洲）第一财经10月11日报道的关于中兴通讯自研7纳米芯片成功商用的消息引各界关注。文中提到，中兴通讯副总裁李晖在第三届数字中国峰会上透露，中兴自研的7纳米芯片已实现市场商用，将用于5G相关设备上，而5纳米的芯片也已在实验阶段。

看到这则消息，也许有人第一反应会质疑：华为不是早就实现5纳米制程的芯片了吗？这有啥值得庆幸的呢？需要注意的是，中兴通讯此次发布的7纳米芯片是用于5G基站和相关设备上的，并非手机终端的芯片。这款芯片的出现打破了我国基站芯片自给率几乎为零的历史，可谓划时代的进步。这是否预示着“中国芯”与全球先进技术的差距已经不大了？

另外，5纳米甚至台积电正在研发的3纳米芯片和7纳米芯片之间的差距真的有那么大吗？其实，英特尔公司2017 年就曾暗示竞争对手制程标识上不诚实，在玩“文字游戏”，这又是怎么回事呢？

中兴通讯推出7纳米基站芯片

近日，中兴通讯自研的7纳米5G基站芯片备受关注，中兴通讯副总裁李晖透露，这一制程的芯片已经商用，同时，更为先进的5纳米制程也已经在实验阶段。其实，在2020年年中股东大会上，中兴通讯就曾透露5纳米芯片将在2021年推出。这不得不说是振奋国人心的好消息，预示着“中国芯”再次取得长足发展，对海外厂商的依赖性逐步降低。

其实，关于该款芯片，在2020年的6月6日，中兴通讯虚拟化产品首席科学家屠嘉顺就表示，目前中兴通讯已经发布了基于7纳米技术3.0版本的多模基带芯片和数字中频芯片，这些产品可以实现相比上一代产品超过4倍的算力提升和超过30%的AAU功耗的降低，明年发布的基于5纳米的芯片将会带来更高的性能和更低的能耗。

中兴通讯副总裁，TDD&5G产品总经理柏燕民也曾告诉相关媒体：“现在在系统产品5G芯片关键领域都是采取的是自研产品，如基带处理、数据中频等。”

但是，唯一令人担忧的是，中兴自主研发的7纳米芯片仍主要由台积电的工艺制造，日月光投控的2.5D/interposer技术进行封测，而中兴所擅长的为芯片的设计端，本身并不具备芯片生产制造能力。

7纳米芯片真的不如5纳米吗？

IT之家在2020年9月16日发表了一篇题为《台积电 5 纳米吊打英特尔 10 纳米？别纠结了，这只是 “数字游戏”》的文章，文中提到，台湾的《天下杂志》曾经刊文透露英特尔最早使用FinFET工艺，他们在 22 纳米节点的第三代酷睿处理器上使用FinFET工艺，而命名也老老实实地叫“22纳米FinFET”。后来三星和台积电也跟进了 FinFET工艺，同样水平的制程节点，三星来了个骚操作，把节点名字改成了14纳米，来凸显新工艺的优势。台积电本来打算跟随英特尔，按实际情况命名，但发现三星改名了，索性折个中，把节点名字改成了“16 纳米”。就此，为了营销需要，制程节点“文字游戏”开始了。

为这事，英特尔在 2017 年还专门发文，指出半导体工艺在命名上混乱的状况，暗示竞争对手不诚实。英特尔认为，半导体技术的先进性，不仅和栅极宽度有关，像栅极间距、鳍片间距、最小金属间距等这些参数也不容忽视。英特尔还做了对比，同样都是“10 纳米”，英特尔的 10 纳米在栅极间距、鳍片间距、最小金属间距这些关键参数的表现上都要优于三星和台积电。因为在单位面积里，英特尔的 10 纳米工艺能塞进更多的晶体管，晶体管数量越多，性能也就越强。

因此，中兴通讯此次研发出的7纳米芯片在性能上未必就不如市面上其他厂商的5纳米芯片。

“中国芯”离高端席还很远吗？

说到“中国芯”目前技术上最为领先的就是华为，例如，在终端芯片方面，今年新发布的华为mate40系列就搭载了采用5nm制程工艺制造的麒麟1020。

其实，哪怕最先进的基于5纳米制程的麒麟1020，华为方面也只是做了设计工作，剩下的整个产品生产环节均需依靠其他厂商来完成，而这些厂商，多数采用的都是含国外知识产权的设备。

这就是“中国芯”唯一的弊端——在芯片设计上下了很多功夫，却将最基础的工艺制造环节遗忘了。当前最紧缺的设备就是光刻机，而这一领域先进的技术都掌握在国外厂商手中，成了“中国芯”发展最大的掣肘。

据相关报道分析，目前中国的半导体产业在设计、封装上达到了较高水平，但底层的高端装备、EDA软件、材料，还是以西方为主。而在制造芯片环节，以中芯国际为代表的本土厂商目前所占据的份额不到5%，与第一名的台积电54%的份额相比，差距依然比较大。

当然，在基站芯片方面，目前鲜有公开的设计工艺数据，或许，此次中兴通讯设计开发的7纳米基站芯片已经全球领先了。

可以说，某种意义上“中国芯”已达到国际先进水平，早已坐上了高端席，但是，在芯片产业链上“偏科”严重，当前，打造全产业链的闭环，势在必行。