国内主流集成电路代工厂的工艺特征|dc|igbt|二极管|晶体管

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芯榜中国芯片排行榜

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来源：IP Liberator

这几天多篇文章爆出了“中芯国际涉军”，已被美国列入黑名单，深知信息搬运工的责任重大，秉着“不忘初心，牢记使命”的宗旨，外加周末有点自我安排的时间，所以也就有了本篇文章，另外作为模拟IC设计师，还是很有必要知道国内有哪些集成电路代工厂+工艺节点+工艺特征，毕竟我也是填过坑的人，项目指标来了首先需要确定的就是工艺，选择不当来回折腾也是难以避免，不废话上内容了。

1、中芯国际（SMIC）

序列

公司

工艺特征

中芯国际
（SMIC）

先进逻辑技术

14nm

2019年第四季度进入量产，应用于5G、高性能计算、人工智能、物联网、消费电子及汽车电子等新兴领域。

成熟逻辑技术

28nm

2013年第四季度推出，28纳米技术包含传统的多晶硅（PolySiON）和后闸极的高介电常数金属闸极（HKMG）制程。
28纳米工艺制程主要应用于智能手机、平板电脑、电视、机顶盒和互联网等移动计算及消费电子产品领域。
核心 Vcc (V)：0.9V。

40nm

40纳米标准逻辑制程提供低漏电(LL)器件平台，核心组件电压1.1V，涵盖三种不同阈值电压，以及输入/输出组件 2.5V电压(超载 3.3V，低载 1.8V)以满足不同的设计要求。40纳米逻辑制程结合了先进的浸入式光刻技术，应力技术，超浅结技术以及低介电常数介质。
适用于场景广泛，如：手机基带及应用处理器，平板电脑多媒体应用处理器，数字电视，机顶盒，游戏及其他无线互联应用，正在研发的可工作在0.9v电压下的40纳米超低功耗产品更是为IoT应用场景量身打造。

65nm/55nm

65纳米/55纳米技术的工艺元件选择包含低漏电和超低功耗技术平台。此两种技术平台都提供三种阈值电压的元件以及输入/输出电压为1.8V，2.5V和3.3V的元件，而形成一个弹性的制程设计平台。此技术的设计规则、规格及SPICE模型已完备。55纳米低漏电/超低功耗技术和65纳米低漏电技术重要的单元库已完备。
主要面向高性能、低功耗的应用场景，如移动应用和无线应用。

90nm

中芯90纳米制程采用Low-k材质的铜互连技术，生产高性能的元器件。可为客户量身定做，达到各种设计要求，包括高速，低耗，混合信号，射频以及嵌入式和系统集成等方案；
单元库，IP及输入/输出接口等可通过我司的合作伙伴获得；
90纳米低漏电器件(1.2V)和90纳米低漏电器件(1.0V)；
可满足多种应用产品如无线电话，数字电视，机顶盒，移动电视，个人多媒体产品，无线网络接入及个人计算机应用芯片等对低能耗，卓越性能及高集成度的要求。

0.13/0.11μm

和0.15微米器件的制程技术相比，0.13微米工艺能使芯片面积缩小25%以上，性能提高约30%。与0.18微米制程技术比较，芯片面积更可缩小超过50%，而其性能也提高超过50%。
中芯的0.13微米制程采用全铜制程技术。核心电压为 1.2V以及输入 / 输出电压为 2.5V 或 3.3V的组件。
同时可提供0.13/0.11微米的单元库，内存编译器，输入输出接口和模拟IP，应用产品包括闪存控制器、媒体播放器等。

0.15μm

0.15微米工艺技术包括逻辑、混合信号，高压，BCD，并提供广泛的单元库和IP的支持。
在 0.15 微米技术节点上可提供低成本的移动/消费应用和汽车和工业应用产品。

0.18μm

0.18微米为消费性、通讯和计算机等多种产品应用提供了在速度、功耗、密度及成本方面的最佳选择。此外，它也在嵌入式内存、混合信号及CMOS射频电路等应用方面为客户提供灵活性的解决方案及模拟。
此工艺采用 1P6M（铝）制程，特点是每平方毫米的多晶硅门电路集成度高达100,000门以及有1.8V、3.3V和5V三种不同电压，供客户选择。
0.18 微米工艺技术包括逻辑、混合信号/射频、高压、BCD、带电可擦除只读存储器以及OTP等。这些技术均有广泛的单元库和智能模块支持。
在 0.18 微米技术节点上可提供低成本、经验证的智能卡、消费电子产品以及其它广泛的应用类产品。

0.25μm

0.25微米技术能实现芯片的高性能和低功率，适用于高端图形处理器、微处理器、通讯及计算机数据处理芯片。同时提供0.25微米逻辑电路和3.3V和5V应用的混合信号/CMOS射频电路。
该工艺可应用于智能卡、消费性产品以及其它多个领域。

,0.35μm

0.35微米制程技术包括逻辑电路，混合信号/CMOS射频电路、高压电路、BCD、 EEPROM和OTP芯片。这些技术均有广泛的单元库和智能模块支持。
提供成本优化及通过验证的0.35微米工艺解决方案，可应用于智能卡、消费性产品以及其它多个领域。

特殊工艺

电源/模拟
Analog&Power（0.35微米、0.18微米和0.15微米等）

技术简介：中芯国际的电源和模拟技术基于现有的低功耗逻辑平台可提供模块架构，为模拟和电源应用提供了较低的成本和优越的性能。该技术包括双极晶体管、高压LDMOS晶体管、精密模拟无源器件和eFuse/OTP/MTP非易失性存储器，同时提供有竞争力的Rds(on)功率器件。中芯国际的8寸厂拥有世界级的缺陷管控，可和全球的合作伙伴一起提供完整的一站式服务。这些技术已经主要集中在0.35微米、0.18微米和0.15微米等技术节点上，并具有业界领先的模拟和功率器件。
应用产品：该技术的目标是具有成本效益的智能手机、平板电脑及消费电子产品，如电池管理，DC-DC，AC-DC，PMIC，快速充电器，电机控制器，以及汽车和工业应用。

高压工艺平台用于显示面板驱动IC(DDIC)（0.3微米、0.16微米、0.15微米、95纳米、55纳米、40纳米）

技术简介：驱动IC是控制液晶面板及AMOLED面板开关及显示方式的集成电路芯片。随着面板显示分辨率及数据传输速度的提高，其对驱动芯片的要求也不断提高。中芯国际持续开发更先进的高压工艺平台，包含大尺寸及中小尺寸面板IC,并提供具竞争力的SRAM单元尺寸，以满足客户多方面的设计要求。中芯国际提供95纳米高压平台，该平台的技术性能优越，具备超低功耗的特性来支持可穿戴式设备的应用，具备eNVM来支持in-cell面板的技术，可广泛应用于面板驱动，in-cell面板及AMOLED面板等。
应用产品：中芯国际高压工艺为计算机和消费类电子产品以及无线通讯LCD/AMOLED显示面板驱动等广泛应用领域提供一个经济有效的平台。

绝缘栅双极型晶体管IGBT
（600V~1200V）

技术简介：IGBT是一种新型电力半导体器件的平台性器件，具有高输入阻抗，低导通压降，驱动电路简单，开关速度快，电流密度大等优点。中芯集成电路制造（绍兴）有限公司是中芯国际的合资公司。IGBT平台从2015年开始建立，着眼于最新一代场截止型（Field Stop）IGBT结构，采用业界最先进及主流的背面加工工艺，包括Taiko背面减薄工艺、湿法刻蚀工艺、离子注入、背面激光退火及背面金属沉积工艺等。已完成整套深沟槽（Deep Trench）+薄片（Thin Wafer）+场截止（Field-Stop）技术工艺的自主研发，并相应推出600V~1200V等器件工艺，技术参数可达到业界领先水平。
应用产品：可广泛应用于工业变频、白色家电、轨道交通、电动汽车、智能电网、风力发电和太阳能等行业。

嵌入式非挥发性记忆体平台助力智能卡和微处理器应用
eNVM（0.35微米到40纳米）

技术简介：中芯国际拥有公认的制造能力，可以提供具有成本竞争力的嵌入式非挥发性记忆体平台，包括一次性可编程技术, 多次性可编程技术,嵌入式电可擦除只读存储器技术和嵌入式闪存技术。技术节点覆盖从0.35微米到40纳米。这些嵌入式非挥发性存储技术提供高性能，低功耗与卓越的耐久性和资料保存性能。
应用产品：中芯国际提供了完整的嵌入式非挥发性存储技术与广泛IP支持，可应用于智能卡、微处理器和物联网应用。这些工艺可提供客户制造出具有成本效益，低功耗，高可靠性的产品，和更具经济效益的解决方案。

非易失性存储器NVM
（38纳米以及24纳米闪存技术，从0.18微米到65纳米的ETOX NOR闪存技术解决方案）

技术简介：中芯国际拥有公认的制造能力，可以提供具有成本竞争力的38纳米以及24纳米闪存技术。中芯国际还提供了从0.18微米到65纳米的ETOX NOR闪存技术解决方案。这些工艺可提供客户制造出具有低成本效益，低功耗，高可靠性和耐久性的产品。
应用产品：通信与数据处理：记忆卡和USB棒，手机，移动设备…
消费电子：STB/OTT，MP3，可穿戴设备，玩具和游戏，数字电视…
工业电子：监控、智能仪表、自动化和机器人…

混合信号/射频工艺技术Mixed Signal&RF
（28纳米, 40纳米, 65/55纳米, 90纳米,0.13/0.11微米, 0.18微米）

技术简介：中芯国际提供与逻辑工艺兼容的混合信号/射频工艺技术，通过与国际领先EDA工具供应商的合作，中芯国际提供精确的RF SPICE模型和完整的PDK工具包，涵盖从0.18微米工艺到28纳米PolySiON工艺。
应用产品：这一系列工艺技术用于射频和无线互联芯片制造并被广泛应用于消费电子，通信，计算机以及物联网等市场领域。

MEMS传感器
（MEMS麦克风，惯性传感器）

技术简介：中芯国际的MEMS方案主要集中在两大主流应用领域：第一种为开放式结构，例如MEMS麦克风，目前已经进入量产；第二种为封闭式结构，例如惯性传感器，于2016年第二季度进入量产。
应用产品：硅麦克风、加速度计、陀螺仪、压力传感器、显微镜、超声波传感器、射频器件。

物联网应用平台
IoT Solutions
（0.18微米到28纳米）

技术简介：通过不断优化成熟工艺平台，中芯国际提供完整的一站式物联网（Internet of Things, IoT）工艺、制造和芯片设计服务，并携手集成电路生态链合作伙伴，为设计公司生产物联网智能硬件相关芯片产品，用于智能家居、能源、安防、工业机器人、可穿戴式设备、汽车、交通、物流、环境、智能农业、健康监护及医疗等多个领域。作为中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，中芯国际能够提供专业、安全、完整的本土化服务，帮助设计公司缩短入市时间，降低成本，在蓬勃发展的物联网市场中占据有利地位。
物联网基础技术平台：超低功耗+射频+嵌入式闪存
物联网产品通常具有功能多样性以及快速的上市响应等特点，产品结构以传感、微处理、存储、互联为主，注重微小体积和超低功耗。中芯国际提供0.18微米到28纳米的低功耗逻辑及射频工艺，结合嵌入式闪存，设计公司可在智能家居、可穿戴式设备、智慧城市等各类物联网产品上优化安全性能和成本结构。
（1）超低功耗逻辑及射频技术平台
95ULP - 中芯国际推出了95超低功耗技术平台。在8英寸工艺平台提供业界最高密度最小面积的SRAM，具备极低的漏电流、功耗和寄生电容。55ULP - 在12英寸工艺平台上, 中芯国际同时提供55 超低功耗技术。以95ULP和55 ULP为主要超低功耗技术节点，通过进一步降低产品操作电压、工艺器件优化和IP设计优化，极大减低产品的动态功耗和静态功耗，延长系统待机时间和使用效率。
（2）低漏电嵌入式闪存平台
中芯国际提供0.13微米和55纳米低漏电嵌入式闪存(embedded Flash)工艺进一步整合内置存储器。采用中芯国际55纳米低功耗嵌入式闪存技术的智能卡芯片已成功进入稳定量产。
（3）全面的物联网生态系统
除了自身的工艺技术平台以外，中芯国际还积极创建全面的物联网IP/Subsystem生态系统。通过与国内外众多IP合作伙伴建立的良好合作关系，中芯国际可在射频、基带、嵌入式闪存、CPU 和DSP IP核、基础单元库IP、电源管理类IP、信息安全类IP和模拟接口类IP等方面提供完备的、高质量的IP和设计服务，并面向新应用提供语音、图像处理、低功耗广域连接等类型的生态系统。

汽车电子Automotive
（0.18微米到40纳米）

技术简介：中芯国际依据IATF 16949质量管理体系标准以及AEC-Q100测试要求对汽车电子芯片进行严格的质量管控与可靠性验证，通过持续的工艺改良实现品质卓越及生产零缺陷的目标，并多次通过国际知名汽车客户基于VDA 6.3要求的审核且获得认可。
应用领域：中芯国际致力于为客户提供汽车电子三大领域里最优质、最可靠的工艺平台。

2、华虹宏力

华虹宏力

嵌入式非易
失性存储器

0.25μm ~ 0.13μm eFlash工艺平台

华虹宏力拥有两套嵌入式非易失性闪存存储器工艺平台：其一为自对准浮栅闪存技术的工艺平台，涵盖0.25μm、0.18μm、0.13μm。其二为0.13μm的SONOS工艺平台，提供业界最具竞争力的闪存IP，具备高可靠性，可重复擦写30万次以上，数据保持大于100年。此两套工艺平台均经过大规模量产验证，可以定制各种高速，低功耗以及低成本解决方案的IP，针对触控需求，华虹宏力提供创新的单芯片高压解决方案—0.13μm-32V工艺平台。该工艺基于成熟的0.13μm嵌入式闪存平台，集成了HV CMOS （32V）器件，兼容原平台上各种容量的嵌入式闪存/EEPROM，SRAM，完整的模拟IP，高性能的IO库和低功耗数字单元库，目前，该平台在热点触控类应用领域得到了广泛的认可，超过上万片出货。

0.35μm ~ 90nm eEEPROM工艺平台

华虹宏力拥有三套嵌入式电可擦只读存储器工艺平台：其一为自对准浮栅技术的工艺平台，涵盖0.13μm、90nm；其二为0.13μm的SONOS工艺平台；其三为前道0.5μm、后道0.35μm/0.25μm的浮栅工艺平台；作为领先的智能卡芯片代工提供商，华虹宏力的代工产品涵盖电信卡、U-key、社保卡、身份证卡、银行卡以及众多安全芯片。

0.5μm ~ 0.11μm eOTP/eMTP工艺平台

为客户提供最完整和最高性价比的8位MCU的代工方案：
5V与3.3V单电压工艺平台提供高性价比解决方案，广泛用于电池、小家电，玩具，遥控器等各类MCU，完整的IP组合与经验丰富的设计团队，助力客户快速切入高性能、低功耗MCU领域。

逻辑与混合信号

90nm低漏电逻辑与混合信号工艺平台

在趋近于业界通用90nm的物理尺寸上延续1.5V低漏电技术，支持最多七层铝互联层，搭配高密度工艺库，为低功耗设计提供更为经济的解决方案，提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容。

0.13μm及其缩小化的逻辑与混合信号工艺平台

支持最多七层铝互联层，提供1.2V通用工艺和1.5V、1.8V 低漏电工艺，并搭配高密度工艺库，支持多阈值电压，提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容。

0.18μm及其缩小化的逻辑与混合信号工艺平台

支持最多六层金属互联层，提供1.8V通用工艺和1.8V低漏电工艺，并搭配高密度工艺库，支持多阈值电压，提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容，提供广泛的IP支持，包括OTP/MTP、常用的模拟IP及接口IP

0.5μm 5V与0.18μm 3.3V，5V混合信号工艺平台

支持最多四层金属互联层
极具竞争力的光罩层数以及紧凑的电路设计规则
提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容，厚顶层金属电感和OTP/MTP等

射频

0.13μm/0.18μm SiGe Bipolar/BiCMOS工艺平台

采用创新的HBT结构，提供了性能和成本的完美结合，已申请超过400项发明专利，提供丰富工艺选项、杰出的性能，并以持续不断的技术开发来更灵活地支持客户产品设计，提供精准的模型和完整的设计工具套件，可根据客户需要提供定制服务，以增强客户竞争力。

0.13μm RF CMOS工艺平台

与0.13μm通用逻辑工艺平台完全兼容，支持最多七层铝互联层，支持多阈值电压，提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容，变容二极管，厚顶层金属电感，提供完全可扩展参数的设计工具套件。

0.18μm RF CMOS工艺平台

与0.18μm通用逻辑工艺平台完全兼容，支持最多六层金属互联层，支持多阈值电压，提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容，变容二极管，厚顶层金属电感，提供完全可扩展参数的设计工具套件。

0.2μm SOI RF CMOS工艺平台

专为无线射频前端开关应用优化定制，提供2.5V器件，具有更低的开关插入损耗、更高的隔离度和更好的线性度，提供针对射频性能和芯片面积同时进行优化的便利的设计工具(PDK)，提供PSP model。

电源管理IC

0.35μm BCD工艺平台 (BCD350G/BCD350GE)

基于0.35μm 5V CMOS工艺，提供高性能BJT与LDMOS，其中LDMOS可同时支持5V与12V的Vgs，且Vds最高可达40V，支持最多四层金属互联层，并提供丰富的器件选项，包括高Rsh多晶硅电阻，低温度系数多晶硅电阻，MIP电容，肖特基二极管，低温度系数齐纳二极管，JFET，5V、20V和40V耗尽管，低饱和压降BJT，厚顶层金属和OTP等
提供完整的工艺库与完全可扩展参数的设计工具套件，BCD350GE在原有量产的BCD350G工艺基础上，进一步降低了LDMOS的比导通电阻，减少了光罩层数。

0.18μm BCD工艺平台 (BCD180G)

基于0.18μm 1.8V/5V标准CMOS工艺，提供高性能BJT与LDMOS，其中LDMOS支持5V Vgs与最高可达40V的Vds
支持最多六层金属互联层，并提供丰富的器件选项，包括高Rsh多晶硅电阻，MIM电容，肖特基二极管，低温度系数齐纳二极管，JFET，5V、20V和40V耗尽管，低饱和压降BJT，厚顶层金属和OTP/MTP等，提供完整的工艺库与完全可扩展参数的设计工具套件。

0.35μm CDMOS工艺平台 (PMU350G)

基于0.35μm 3.3V/5V CMOS工艺，提供高性能BJT与LDMOS，其中LDMOS支持5V Vgs与最高可达40V的Vds
支持最多四层金属互联层，并提供丰富的器件选项，包括高Rsh多晶硅电阻，低温度系数多晶硅电阻，MIP电容，低温度系数齐纳二极管，JFET，5V、20V和40V耗尽管，低饱和压降BJT，厚顶层金属和OTP等，提供完整的工艺库与完全可扩展参数的设计工具套件。

0.13μm CDMOS 工艺平台

基于0.13μm 1.8V/5V CMOS工艺，提供可同时支持5V与12V Vgs的LDMOS，且Vds最高可达40V，支持最多五层金属互联层，并提供丰富的器件选项，包括高Rsh多晶硅电阻，MIM电容，高压BJT，齐纳二极管，厚顶层金属等，提供高可靠性的eFlash/eEEPROM，其数据保存能力超过10年，擦写能力可达20万次以上，极具竞争力的比导通电阻有助于缩减芯片面积，提供完整的工艺库，完全可扩展参数的设计工具套件，以及模拟IP与接口IP。

1μm 700V CDMOS 工艺平台 (BCD 700V)

6V CMOS，6V栅电压提供40V到700V的LDMOS，集成的700V MOSFET具有业界领先的比导通电阻，有助于缩减芯片面积，提供灵活的模块化工艺辅以相应的设计工具套件，便于客户根据需要进行版图设计，缩短设计周期，另外提供高压JFET，高值多晶硅电阻，电容，齐纳二极管等多种选项，方便客户灵活设计。

0.8μm 5V/40V HVCMOS 工艺平台

5V和40V栅电压提供5V CMOS 和40V的对称与非对称结构HVCMOS，可选择的隔离30V NMOSFET可用于桥式驱动
提供灵活的模块化工艺辅以相应的设计工具套件，便于客户缩短设计周期，另外提供高值多晶硅电阻，MIP电容，齐纳二极管，多晶熔断等多种选项，方便客户灵活设计，数万片的稳定出货量。广泛用于显示屏的源驱动，开关电源的PWM和PFC控制器，LED照明驱动IC。

0.5μm/0.35μm 5V CMOS工艺平台
(CZ6H+/CZ6L+) 与0.35μm 7V CMOS工艺平台(CZ6-7V)

CZ6H+/CZ6L+是华虹宏力最成熟的模拟工艺平台之一，有超过10年的量产经验，拥有大量经过真实产品验证过的成熟IP。它延续了逻辑器件的成熟稳定特性，并提供多种可供模拟电路设计的器件选择，CZ6-7V是华虹宏力面向7V工作电压而推出的另一模拟工艺平台，主要目标产品应用包括低中压的音频功放和LDO、DC/DC等电源管理芯片。

0.18μm 5V CMOS工艺平台

支持最多四层金属互联层，极具竞争力的光罩层数以及紧凑的电路设计规则，提供高阻值多晶硅电阻，MIM电容，厚顶层金属电感和OTP/MTP等。

功率器件

Trench HV MOSFET

基于华虹宏力在过去累积的LV MOSFET经验，华虹宏力成功开发了沟槽类型的600V MOSFET，并进入量产。华虹宏力创造性地将沟槽应用到600V的MOSFET上，与常规的平面型MOSFET相比，可以有效地降低开启电阻10%以上，该技术的产品非常适合用于市电范围的开关电源、AC/DC、适配器/充电器和LED照明等应用。
工作电压范围 400V ~ 700V
提供厚度低至60um的薄片技术
提供可用于直接焊接的背金
根据产品特性需求，提供客户定制化服务

超级结MOSFET

基于华虹宏力在过去累积的MOSFET的经验，华虹宏力成功开发了超级结结构的600-700V MOSFET，并进入生产。华虹宏力的超级结技术采用独特的工艺，可以达到优于业界水平的性能和指标。该技术的产品非常适合用于市电范围的开关电源、AC/DC、适配器/充电器和LED照明等应用。

IGBT

依托于华虹宏力在MOSFET和Super Junction方面累积的丰富的经验，华虹宏力与客户合作成功开发了基于沟槽结构的600V-1200V非穿通型和场截止型IGBT。该技术的产品非常适合用于新能源汽车、白色家电、电磁炉、马达驱动、UPS、焊机、机车拖动、智能电网以及包括风电和太阳能等新能源应用。
1200V 非穿通型和轻穿通型IGBT
600V ~ 1200V 场截止型IGBT针对变频家电应用
1700V ~ 6500V 场截止型IGBT (开发中)，瞄准业界高端工业及能源市场应用

汽车电子

0.13μm 嵌入式闪存－信息娱乐系统

0.25μm 嵌入式闪存－引擎及安全气囊控制

0.18μm 嵌入式闪存－车用收音机及导航

0.35μm SONOS闪存－信息娱乐系统

0.35μm EEPROM - 车载动力/引擎数据等存储

0.15μm 逻辑－语音系统

功率器件－油泵系统、AC/DC 转换器

650V/750V/1200V IGBT －电动汽车逆变器

深沟槽超级结－ AC/DC 转换器

3、华立微电子（HLMC）

华立微电子
（HLMC）

逻辑工艺

65/55纳米

40纳米

28纳米

22纳米

特殊工艺

图像传感器工艺

55纳米

射频工艺

55纳米/40纳米/28纳米

高压工艺

55纳米/28纳米

超低功耗工艺

55纳米至22纳米

嵌入式非易失性存储器工艺

55纳米

独立式非易失性闪存工艺

65/55纳米

基础IP：标准单元库（Standard Cell Library）、静态存储器编译器（Memory Compiler）、一次性可编程单元（OTP）、电熔丝（efuse）、I/O库；

模拟/混合信号IP：ADC、BG、DAC、LDO、OSC、PLL、POR等；

高速接口/物理层IP：USB、DDR、LPDDR、MIPI、LVDS、PCIe、Serdes等物理层IP（PHY）；

特色类IP：eFlash Macro；

定制类IP：SRAM instance、各种特定需求Standard Cell Library

4、华润上华（CSMC）

华润上华
（CSMC）

Standard Analog

0.25μm 5V Salicide Analog

公司提供0.25um S/A 5V CMOS工艺，采用STI前端、0.25um后端和Salicide工艺。本平台具有更小的器件尺寸，更低的导通电阻，更稳定的器件可靠性以及极具竞争力的光刻层次。为LDO、数字音频功放、接口控制芯片等提供了优秀的解决方案。

0.35um 3V/5V MS

035MM是公司的标准数模混合工艺平台。0.35微米栅长, 双层多晶，四层金属. 应用于模拟方面的工艺，提供两种工作电压，MOS晶体管，隔离晶体管，PIP电容，多晶高阻等工艺模块。在设计规则和晶体管性能方面符合业界0.35微米CMOS工艺标准。详尽的设计规则，精确的SPICE模型，模拟和数字单元库，IP以及开发工具包可以支持主要的EDA工具供应商提供的平台。

0.5μm/0.35μm 5V Mixed-Signal & 7V LDO platform

0.5/0.35um是公司的标准数模混合工艺平台。0.5微米栅长，0.35微米工艺后段，双层多晶，四层金属，应用于模拟方面的工艺，提供5VMOS晶体管，隔离晶体管，ONO电容，多晶高阻等工艺模块。在设计规则和晶体管性能方面符合业界0.5微米CMOS工艺标准。详尽的设计规则，精确的SPICE模型，模拟和数字单元库，IP以及开发工具包可以支持主要的EDA工具供应商提供的平台。

Power IC

0.18um AB s-BCD G1 (7V-24V)

公司提供的0.18um Analog BCD体硅（非外延）工艺，拥有性能卓越的LDMOS/DECMOS表现以及精简的光刻层次，为DC-DC Convertor、电源管理IC、手机背光驱动、快充等应用提供了很好的解决方案。

0.25μm s-BCD G2 (12V-60V)

公司提供成熟量产的0.25μm s-BCD G2(12V-60V)工艺拥有性能卓越的LDMOS/DECMOS表现以及精简的光刻层次，并提供独有的厚栅氧HV器件，为马达驱动、AC-DC/DC-DC Convertor、电源管理IC、快充等应用提供了很好的解决方案。

0.8μm 700V BCD G3S

0.8μm 700V BCD G3S是公司的标准高压工艺平台之一，是以较经济的光刻层数实现700V高压工艺，特别合适离线式电源（AC/DC）和LED 驱动产品设计，特征为0.8μm前端/0.5μm后端，单层多晶，双层金属，工艺平台提供常规及隔离的5V低压CMOS、40V中压CMOS器件、700V LDMOS、700V HV 耗尽管、700V JFET器件，以及多晶高阻和齐纳二极管等器件。

1μm600V HVIC

公司提供的1μm 600V HVIC高压浮栅工艺，拥有200V/600V两个档位的NLDMOS/高压隔离岛。公司的高压互联自屏蔽技术荣获两项发明专利。为电机驱动、白色家电（IPM模块）、大功率LLC、无人机等应用提供了很好的解决方案。

Mixed-Signal/RF

0.11 Ultra-low Leakage

公司 0.11 ULL采用了铝互连技术，1P8M 架构，提供1.5V 内核器件及3.3V 输入输出器件，具备超低漏电特点，器件特征Ioff (pA/um)<0.5。

0.11 ULL flash

公司 0.11 ULL flash 工艺是基于0.11 ULL工艺嵌入flash, 逻辑器件与ULL兼容。提供超低功耗模拟IP。

0.153μm CMOS EN (5V)

公司提供的0.153μm CMOS EN (5V)工艺拥有具成本效益的光刻层数和紧凑的设计规则，为便携式设备电源管理、LED驱动和音频PA等应用提供了很好的解决方案。

0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/3.3V G
0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/5V G

公司0.18um工艺是基于客户对于Fab兼容目的而开发可广泛应用的工艺。0.18um逻辑工艺可提供1.8V电压core device、3.3V或者5V 电压IO device，并同时提供Native VT、Medium low VT器件、高性能电容、高精度poly电阻、可变电容器、电感等可选工艺可方便客户电路设计。
Shrunk工艺可以有效的降低客户成本，同时Shrunk工艺的器件特性同不Shrunk工艺非常接近。公司 0.162um工艺是0.18um 90% Shrunk工艺, 公司 0.153um工艺是0.18um 85% Shrunk工艺。
公司0.18um工艺提供OTP/MTP工艺，OTP/MTP 工艺同现有单多晶逻辑工艺平台兼容，不需要额外增加光刻层次。

0.18μm CMOS EN (3.3V or 5V)

公司提供的0.18μm CMOS EN (3.3V or 5V)工艺拥有极具竞争力的光刻次数和紧凑的设计规则，为DC-DC、LED屏驱动、音频功放、MCU等应用提供了很好的解决方案。

0.18μm e-Flash

公司提供的0.18μm e-Flash工艺兼容0.18um logic工艺，提供业界具有竞争力的闪存IP，高可靠性，低功耗和低成本，为智能卡、各类屏接触控制、MCU等应用提供了很好的解决方案。

Power Discrete

0.4μm 60V-100V 8" N/P-ch DMOS

中压的Trench DMOS 工艺平台成功量产，较低的导通电阻和较强雪崩能力，拓展了在电动工具、电动车、车载电器、太阳能逆变器、UPS、马达驱动上的应用。

0.35um 20-30V 8" N/P-ch DMOS
0.2um 20-40V 8" N-ch DMOS

20~40V是公司的标准Trench DMOS 工艺平台，主要应用于DC-DC SMPS电源管理，具有高密度和低通态电阻特性，并能够提供完整的设计服务。

Normal Planar

50~1200V是公司的标准Planar DMOS 工艺平台，主要应用于AC-DC SMPS电源管理，具有高效率和低通态电阻特性，并能够提供完整的设计服务。

30V-45V SGT DMOS

新近开发成功的30V-45V的分立栅槽技术，采用电荷耦合的技术，极大地提升了单位面积的电流密度，提升Rsp水平，减少栅极电荷。在快充和高效的同步整流中有广泛的应用。

5、上海先进半导体（ASMC)/上海积塔半导体

略（暂没查到）

6、和舰科技

7、三安光电

三安光电

晶圆代工制程

制程系列

主要用途

HBT (砷化镓异质结双极型晶体管)

H20HL (高线性制程)

手机，无线宽带功率放大器

手机，无线宽带低杂讯放大器增益器

H20HR (高韧性制程)

通讯信号切换器

通讯微波器件

pHEMT (砷化镓伪型态高电子迁移率晶体管)

P25ED (增强/耗尽混合型)

增益器

P25PA (功率型)

通讯信号切换器

P25SW (低启动阻抗型)

通讯微波器件

SiC SBD/MPS
( 碳化硅肖特基二极管）

快速回复肖特基二极管

绿能节能器件：

消费电子产品的电源转换/反向器

GaN FET
（氮化镓场效应晶体管）

耗尽型场效应三极管

汽车/交通工具使用电源转换/反向器

增强型场效应三极管

工业用大功率电源转换/反向器

VCSEL

垂直腔面发射激光器

传感器/3D人脸识别/HDMI

8、中科渝芯（非主流）

中科渝芯

CMOS

1.CM06，0.6m Analog CMOS

CM06工艺是中科渝芯高低压兼容模拟CMOS工艺平台。特别适合混合信号电路应用, 如电源管理(AC-DC / DC-DC)和 LED 驱动等相关产品设计，工艺平台特征为0.6微米、双多晶、双栅氧、三层金属布线，工艺平台提供常规及隔离的5V低压CMOS，15V/25V/40V/60V LDMOS 及其他高压CMOS 器件，多晶高阻电阻(Poly-Resistance)，高压三极管(BJT)，电容(Capacitance)等。CM06工艺平台提供详尽的设计规则、准确高溫模型、数字和模拟的标准单元库、IP和设计包支持主要的EDA软件工具。
工艺特征：
双层多晶，3层金属布线；
双栅氧（130A/400A）
低温度系数多晶电阻，高精度PIP线性电容。
多晶高阻3.5K；
15V/25V/40V/60V 高压MOS晶体管；
典型应用：
DC-DC 转换电路；
电源管理电路；
低功耗数模混合电路；
高精度数模混合电路；

2.CM30(3m CMOS)

CM30工艺是中科渝芯3μm 10V/25V模拟CMOS工艺平台之一，具有较好的KFZ性能，主要适用于驱动器、接口电路。工艺平台提供标准10V NMOS/PMOS管，25V高压对称型MOS管等有源器件，以及高低值掺杂电阻及低温度系数的铬硅电阻。单双层布线工艺可选。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。
工艺特征：
采用N<100>型衬底P阱工艺，全流程19层光罩, 19次光刻，最少光刻10次光刻;
高低压器件兼容;
单多晶、双铝布线工艺;
高阻、铬硅电阻、顶层铝可选。
典型应用：
(1)电源管理
(2)驱动器

3.CM80(8m CMOS)

CM80工艺是中科渝芯8μm 15V/33V模拟CMOS工艺平台之一，具有较好的KFZ性能，主要适用于驱动器、接口、高压AD/DA电路。工艺平台提供标准低压15V NMOS/PMOS管，高压33V对称型MOS管等有源器件，以及高低值掺杂电阻及低温度系数的铬硅电阻。单双层布线工艺可选。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。
工艺特征：
采用N<100>型外延P阱工艺，全流程18层光罩,18次光刻，最少光刻10次光刻;
单多晶、双铝布线工艺;
高阻、铬硅电阻、顶层铝可选。
典型应用：
(1)电源管理
(2)驱动器
(3)高压数模转换器

BCD

1.BD10，1.0m 40V BCD

BD10工艺是中科渝芯BCD工艺平台之一。工艺平台提供双极晶体管，常规及隔离5V CMOS， 40V高压CMOS器件以及多晶高阻和齐纳二极管等器件，应用于数模混合的高压产品。为了节省芯片面积，工艺提供1.0m 前端0.5m后端设计规则。详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。
工艺特征：
1.0m 前端设计， 0.5m 后端设计;
外延隔离工艺；
厚薄栅氧，单层多晶，双层金属布线；
HV CMOS 提供Vgs/Vds=5V/40V或Vgs/Vds=40V/40V器件；
多晶高阻1K/2K/3K 可选；
多晶高阻、齐纳二极管可选，HV CMOS提供客制化需求；
典型应用：
(1) DC-DC 转换电路；
(2) 电源管理电路；
(3) 锂电保护电路；
(4) LED驱动电路；

2.BD10H，1.0m 700V BCD

1.0m 700V BCD 是中科渝芯标准超高压工艺平台。工艺平台提供常规及隔离5V CMOS， 40V中压CMOS，500V/600V/700超高压LDMOS，700V Dep-MOS，700V NJFET，双极型晶体管，多晶高阻和齐纳二极管等器件。可广泛应用于离线式电源转换芯片、LED照明驱动芯片类绿色单片智能功率集成电路产品。
工艺特征：
1.0m 前端设计， 0.5m 后端设计;
P外延隔离工艺；
模块化工艺：5V 低压CMOS模块， 40V中压CMOS模块，500V/600V/700高压DMOS模块；
灵活的高压启动器件方案：700V Dep-MOS/700V NJFET；
可选器件：多晶高阻、齐纳管、客制化超高压LDMOS IP；
顶层金属厚度可选；
典型应用：
(1) AC-DC 转换电路
(2) LED照明驱动电路

Bipolar

1.WP32，1m 32V Linear Bipolar

WP32工艺是中科渝芯线性双极工艺平台之一。工艺平台提供标准32V 高频NPN管、32V LPNP管、15V 衬底PNP管，以及掺杂电阻、低温度系数多晶电阻、高值MIS电容、齐纳二极管等器件，双层布线。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。
工艺特性：
采用N型外延， PN结隔离工艺；
17层光罩，17层光刻(其中包含高值电阻、齐纳、MIS电容、多晶电阻等可选)，最少为13层光刻层；
高频NPN管fT≥1.2GHz；
低温度系数多晶电阻≤100ppm；
采用PtSi孔接触；
可选器件包含：注入高值电阻、齐纳二极管、MIS电容、多晶电阻等器件，以及其他特殊需求。
典型应用：
(1) 电源管理电路
(2) 运算放大器电路

2.WP18，1m 18V Linear Bipolar

WP18工艺是中科渝芯线性双极工艺平台之一。工艺平台提供标准18V 高频NPN管、18V LPNP管、18V 衬底PNP管，以及掺杂电阻、多晶电阻、高值MIS电容、齐纳二极管等可选器件，双层布线。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。
工艺特性：
(1) 采用N型外延， PN结隔离工艺；
(2) 16层光罩，16层光刻层(其中包含高值电阻、齐纳、MIS电容、多晶电阻，双层布线等可选)，最少为11层光刻层；
(3) 高频NPN管fT≥4.5GHz；
(4) 可选器件包含：注入高值电阻、齐纳二极管、MIS电容、多晶电阻等器件，以及其他特殊需求。
典型应用：
(1) 电源管理电路
(2) 运算放大器电路

3.WB18，2m 18V Bipolar

WB18工艺是中科渝芯标准双极工艺平台之一。工艺平台提供标准PN结隔离的18V NPN管，18V LPNP管，18V SPNP管、18V VPNP管，以及掺杂电阻、齐纳二极管、高值氮化硅电容等可选器件，同时具备双层布线能力，可根据客户需求进行选择。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。
工艺特性：
(1) 采用N型外延， PN结隔离工艺；
(2) 16 层光罩，16层光刻层(其中包含掺杂电阻、SPNP管、高值MIS电容、双层布线等可选)，最少为8层光刻层；
(3) 可选器件包含：掺杂电阻、VPNP管、齐纳二极管，以及其他特殊需求。
典型应用：
(1) 电源管理电路
(2) 常规运算放大器电路
(3) LDO稳压器

4.WX40，2m 40V Bi-FET

WX40工艺是中科渝芯高压双极-JFET兼容工艺平台之一。工艺平台提供40V高压NPN管，40V横向PNP管，40V隔离PNP管，40V P型JFET器件，以及注入高值电阻、多晶高阻、齐纳二极管以及氮化硅电容等器件。同时具备双层布线能力，可以节省芯片面积，为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。
工艺特性：
采用N型外延， PN结隔离工艺;
(2) 21 层光罩，21层光刻层(其中包含N阱、高阻、N-基区、电容、多晶硅，双层布线等可选)，最少10层光刻层；
(3) 可选器件：注入高值电阻、多晶高阻、齐纳二极管、隔离PNP、PJFET器件，其他特殊需求。
典型应用：
(1) 电源管理电路
(2) 各类运算放大器电路
(3) LDO稳压器

5.WB70，4m 70V Bipolar

WB70工艺是中科渝芯标准高压双极工艺平台之一。工艺平台提供70V高压NPN管，70V横向PNP管，以及注入高值电阻、齐纳二极管以及氮化硅电容等器件。同时具备双层布线能力，可以节省芯片面积，为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具
工艺特性：
(1) 采用N型外延， PN结隔离工;
(2) 14 层光罩，14层光刻层(其中包含高阻、电容、双层布线等可选)，最少为9层光刻层；
(3) 可选器件包含：注入高值电阻、齐纳二极管，其他特殊需求。
典型应用：
(1) 电源管理电路
(2) 常规运算放大器电路

6.WB40，2m 40V Bipolar

WB40工艺是中科渝芯标准高压双极工艺平台之一。工艺平台提供40V高压NPN管，40V横向PNP管，40V隔离PNP管以及注入高值电阻、齐纳二极管以及氮化硅电容等器件。同时具备双层金属布线能力，可以节省芯片面积，为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。
工艺特性：
(1) 采用N型外延， PN结隔离工;
(2) 16 层光罩，16层光刻层(其中包含高阻、悬浮PNP管、电容、双层布线等可选)，最少为9层光刻层；
(3) 注入高值电阻；
(4) 可选器件包含：注入高值电阻、隔离PNP管、齐纳二极管，其他特殊需求。
典型应用：
(1) 电源管理电路
(2) 常规运算放大器电路
(3) LDO稳压器

7.HC12，0.6μm 12V Performance Complementary Bipolar

HC12工艺是中科渝芯高性能互补双极工艺平台之一。该工艺平台采用DPSA器件结构，提供12V VNPN、VPNP管，高值多晶电阻、低值p型多晶高阻、低值n型多晶电阻以及MIS、MIM氮化硅电容以及Schottky二极管等器件。提供双层或三层可选的布线工艺，为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。
工艺特性：
(1) 双多晶自对准工艺;
(2) 深槽介质隔离
(3) 模块化设计，29（或27）次光刻；
(4) VNPN、VPNP管特征频率fT分别达到8.5GHz和8GHz
典型应用：
（1）高速（视频）放大器，ADSL驱动
（2） DVD 激光二极管驱动
（3）高速逻辑电路

8.HX30，0.6μm 30V Performance SOI Complementary Bipolar

HX30工艺是中科渝芯SOI高性能互补双极工艺平台之一。该工艺平台采用DPSA器件结构、SOI全介质隔离，提供30V VNPN、VPNP管，高值多晶电阻、低值p型多晶高阻、低值n型多晶电阻以及MIS、氮化硅电容以及Schottky二极管等器件。采用双层布线工艺，为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则，精确的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。
工艺特性：
（1）双多晶自对准工艺;
（2） SOI、深槽全介质隔离；
（3）模块化设计，25（或23）次光刻；
（4） VNPN、VPNP管特征频率fT达到4GHz ；
典型应用：
（1）高速（视频）放大器，ADSL驱动
（2） DVD 激光二极管驱动
（3）电缆调制解调器

9.WC40S(4m 40V high-speed
Complementary Bipolar)

WC40S(4m 40V high-speed Complementary Bipolar)
WC40S工艺是中科渝芯高压高速互补双极工艺平台。工艺平台提供标准40V NPN管、 VPNP管，P型结型场效应晶体管，以及高/低值掺杂电阻、低温度系数多晶电阻、高值MIS电容、齐纳二极管等器件，双层布线。工艺平台详尽的设计规则，初步的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。
工艺特性：
采用SOI片制作：衬底材料:(100) P 型硼掺杂电阻率:15-20ohm-cm 器件层：（100） p 型硼掺杂电阻率：15-20ohm-cm 厚度 5+/-0.5um 氧化层：厚度 0.65+/-0.05um
采用N型外延，介质隔离工艺；
25层光罩，25层光刻(其中包含PJFET器件、高值电阻、MIS电容、多晶电阻、薄膜电阻、双层布线等可选)，最少为15层光刻层；
高频NPN/PNP管fT≥0.4GHz；
CrSi电阻温度系数≤50ppm；
可选器件包含：注入高值电阻、MIS电容、多晶电阻、薄膜电阻、双层布线等器件。
典型应用：
(1) 电源管理电路
(2) 放大器电路
(3) 驱动器电路
(4) 基准电路

分立器件

1.SBR

45V~60V SBR具有高频低功耗，低正向压降，高可靠性等优良特性，CSEC可提供45V~60V系列成熟稳定的工艺平台及产品。
工艺特性：
4/5层光刻，Al面/Ag面可选工艺;
低正向压降;
高温度稳定性;
高可靠性;
快速开关能力。
典型应用：
(1)通用整流器
(2)高频开关电源
(3)驱动电路
(4)高频逆变器

2. Planar SBD

45V～200V Planar SBD具有高频低功耗，高压大电流，低正向压降高可靠性等优良特性；CSEC可提供45V～200V系列成熟稳定的工艺平台及高良率产品。
工艺特性：
Pt/NiPt势垒平面肖特基技术
3层光刻，Al面/Ag面可选工艺
高耐压、大电流
高频率、低功耗
高抗浪涌能力，高可靠性
典型应用：
通用整流器
高频开关电源
驱动电路
高频逆变器

3. Planar DMOS

500～700V Planar DMOS具有导通电阻低，开关速度快，栅电荷小，雪崩能力好等优良特性；CSEC可提供500～700V系列成熟稳定的工艺平台及高良率产品。
工艺特性：
平面栅双扩散基本工艺
6-7层光刻工艺
低导通电阻，低栅电荷总量
良好的雪崩特性
典型应用：
高频开关电源
电子镇流器
UPS

3. MOS SBD

45V～100V MOS SBD具有低开启电压，低漏电流，高性能及低成本，可完全替代传统低压肖特基产品, CSEC具有此类产品自行设计研发能力。
工艺特性：
0.5um MOS肖特基技术
4-5层光刻，Al面/Ag面可选工艺
PN结和肖特基混合二极管
高频率、低功耗
典型应用：
低压通用整流器
快速电子充电器
高频逆变器

4. FRD

200～1600V FRD具有正向压降低，开关速度快，反向恢复软等优良特性；CSEC可提供200～600V扩Pt工艺、1200V-1600V辐照工艺系列成熟稳定的工艺平台及高良率产品。
工艺特性：
外延硅材料
4-7层光刻工艺
扩Pt工艺，辐照工艺
开关速度快，恢复软
典型应用：
开关电源
续流二极管
IGBT模块

5. IGBT

IGBT集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,广泛应用在电力转换中，CSEC已具备1200V外延硅材料工艺产品的研发能力。
工艺特性：
外延硅材料，平面栅工艺
1200V阻断电压
饱和压降低
开关速度快
典型应用：
电机驱动
电磁炉
电焊机
变频器
汽车电子

短工序加工

1、单片外延
超薄(≤0.5um)外延、薄硅(≤2um)高阻(≥20Ω.cm)外延、多层外延、SiGe外延
2、0.5 ~ 0.35um光刻能力
Nikon Stepper能力满足0.35um线宽尺寸
3、Pt加工
Pt、Ni/Pt溅射、合金/退火工艺配备，具备功率整流器件制造，以及模拟集成电路功能的特别需求
4、多样化的多层布线技术
以PECVD、APCVD、SACVD、PVD、WCVD、CMP、Etchback为支撑的多样化多层布线技术；
钨工艺及CMP设备，在0.5um的模拟集成电路领域具备最高四层金属布线能力
5、背面及重金属能力
(1)背面减薄、背面注入加工能力；
(2)采用Sputter、Evaporation方式的Ag、Au为代表的背面金属加工技术
(3)正面Ag、Au金属光刻、刻蚀工艺的能力配备
6、金属加工技术
(1)最高可达8um的AL，以及热AL加工能力
(2) Chamber配置的单片AlSiCu、Ti、TiN金属加工工艺
7、多种介质及设备工艺配备
(1)基于Vertical Furnace LPCVD工艺的 TEOS、SiN、Poly加工
(2)PECVD & APCVD 工艺的PSG、BPSG、TEOS加工
8、完备的生产在线监控检测仪器、设备
SRP、CD SEM、Overlay、Defect、FTIR、剖面电镜、应力检测、注入剂量和硼磷含量监测、多种类型膜厚及电阻率监测等