科技时代，掌握芯片技术，就掌握了市场大权。华为被美国压制，关键掣肘在芯片。光刻机是制造芯片的核心装备，华为想要自己生产芯片就要先造光刻机。可是这几乎是一件不可能完成的事情，光设备至少300亿美金，折合人民币近2000亿，还需要晶圆厂、光刻厂和大量人才。
此前，任正非在心声社区里表示，华为今天遇到的困难是设计先进芯片，但是国内的基础工业还制造不出来，华为不可能又做产品，又去制造芯片。在华为Mate40系列的发布会上，余承东直言华为麒麟高端芯片将成为绝版。面对美国的禁令，国内芯片制造工艺制程的跟不上，余承东也是着急又无奈。
11月5日，世界光刻机巨头荷兰阿斯麦ASML亮相第三届进博会，展示了DUV（深紫外光）光刻机，该产品可生产7nm及以上制程芯片，但是可以生产5nm的EUV光刻机并没有展示。在采访中，ASML中国区总裁沈波表示，ASML对向中国出口集成电路光刻机持开放态度，对全球客户均一视同仁，在法律法规框架下，都将全力支持。ASML在中国也建立了自己的培训中心，培养光刻行业人才。
沈波的表态对我国芯片的发展和生产来说是一个利好消息。
国内的芯片代工公司与国际代工巨头的实力还是相去甚远，目前国产光刻机量产的只能做到90nm，65nm和22nm还在实验室阶段，即便是可以量产，很多零部件还是要依靠进口。虽然中芯国际已经具备制造7nm芯片的工艺，但还做不到量产。乐观地说，即使我们很快实现了7nm芯片的量产，未来想要进一步探索6nm甚至2nm芯片，最终还是需要EUV光刻机的支持。
然而，面对未来的诸多不确定性，我们也不能将所有的希望都放在ASML，技术竞争、国家利益、行业发展等种种厉害和利益交织，我国自主研发光刻机仍然势在必行。
自主研发芯片除了光刻机之外，更大的挑战是光刻胶。EUV是一个整体，包括极紫外光、光源功率、掩膜和光刻胶，其中光刻胶的挑战更大。由于量子非定域效应，EUV光刻胶会产生随机效应，这有可能会使得芯片因为一个触点通孔的缺陷而失效。去年日本断供韩国半导体原材料时就包括光刻胶。
令人振奋的是，近日国内老牌光刻巨头上海新阳半导体材料股份有限公司宣布，拟定增募资不超过14.5亿元，扣除发行费用后拟将8.15亿元用于集成电路制造用高端光刻胶研发产业化项目。如果这个项目研发成功，我们离自主研发高端芯片的梦想将会更进一步。
中科院也明确表示要将光刻机作为重点攻克的项目，有国家强大实力的加持，有国内最高水准科研机构的入局，我国的光刻机研发速度将会不断加快，国内半导体产业的最大短板将很快被补齐。
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