随着IT技术的不断发展，对于非易失性存储器的需求越来越大，读写速度要求越来越快，功耗要求越来越小，现有的传统非易失性存储器，如EEPROM、FLASH等已经难以满足这些需要了。

同传统的非易失性存储器相比，铁电存储器具有一些独一无二的特性，因此受到很大关注。

一、简介

铁电存储器（FRAM，Ferroelectric RAM ），是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器(DRAM)的快速读取和写入访问，与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。

由于它能在非常低的电能需求下快速地存储，所以在消费者的小型设备中得到了广泛的应用，比如个人数字助理（PDA)、手机、功率表、智能卡以及安全系统。在一些应用上，它可替代电可擦除只读存储器(EEPROM)和静态随机存取存储器（SRAM)，并成为未来的无线产品的关键元件。

二、优点

①零电压保持数据

②无需周期性刷新

③可重复写入1212次

④读写功耗极低

⑤读写速度快

⑥抗辐射性强

三、应用实例

FRAM所具备的三个关键优势，非常适用于医疗应用，其中无需后备电池的特性使其特别适合便携式医疗器械的使用，同时能够减少设备维护保养的费用；而高速/高读写耐久性使得患者信息可以实时、频繁地存储记录；抗辐射的特性更是满足了医疗器械高可靠性的要求。

四、产业现状

此前，由于传统铁电材料高污染的缺陷制约了铁电存储器的发展，全球只有美国和日本两条专用产线。

铁电存储器是新兴的非易失性存储器，它的起步比较早，率先实现了产业化，由于其具有功耗小、读写速度快、抗辐照能力强等优点，在一些需要快速存取、低功耗和抗辐照的小规模存储领域较有市场。

但是，铁电存储器也存在集成度提高比较困难、工艺沾污较为严重、难以和传统CMOS工艺相互兼容的缺点，有待进一步研究解决。

作为全球第一家把新型铁电存储器商业化的公司，无锡拍字节科技有限公司一直都致力于打造智能物联新时代主流存储器。从设计、研发再到生产，公司打造出了中国第一款铁电存储器以及世界第一款商用新型铁电存储器。

拍字节新型铁电存储器（VFRAM)的创新突破：

*材料技术创新突破

将传统的铁电存储器中含铅的PZT材料，替换成新开发的High-K材料，解决了强污染性的问题。

*存储器架构创新突破

由于High-K材料的使用，可以突破传统的平面架构，实现全新的3D架构，极大提升了存储器密度。

产品应用场景：

广泛应用于需要实时大量数据记录、频繁数据读写、低功耗工作，以及嵌入式SoC/SiP的产品中。

这个6月，拍字节一代VFRAM(32Kb~4Mb）产品将开始大规模量产销售。