新 闻 ① ： Geekbench曝光三星Galaxy Book新品 采用12核i7-1270P移动处理器

Geekbench 基准测试数据库刚刚曝光了三星新款 Galaxy Book 笔记本电脑，特点是搭载了独特的 12 核英特尔酷睿 i7-1270P 移动处理器。此外考虑到它与之前泄露的设备型号（MP930QED）相同，后续也不排除三星会提供更多的 CPU 选项。

规格方面，这枚 Alder Lake-P 处理器拥有 12 核 / 16 线程，意味它采用了 4 个高性能的 Golden Cove（P 核）+ 8 个节能的 Gracemont（E 核）组合。

Geekbench 基准测试数据库还揭示 i7-1270P 拥有 18MB L3 缓存，基础频率 2.5 GHz、但软件 bug 将最大睿频识别成了仅 9 MHz 。

不过更让我们感兴趣的，还是英特尔 12 代移动处理器的命名方式。当前 11 代 Tiger Lake CPU 的 H-45 / H-35 / U-28 命名，将在 12 代被 Alder Lake-P 之类的命名方式给取代。

至于测试平台的其它配置，包括 16GB DDR5 内存（或为 LPDDR5X）、以及 Windows 11 操作系统。

（来自：Geekbench）

最后，根据三星选用的英特尔 12 代酷睿 i5 / i7 配置，预计下一代 Galaxy Book 笔记本的售价会在 800 ~ 1300 美元（5155 ~ 8378 RMB）左右。

作为参考，当前在售的 Galaxy Book 机型配备了 1080p @ 60Hz 刷新率的 AMOLED 面板，预计下一代 Alder Lake 平台会带来小幅升级，辅以标准且友好的设计。

原文链接：https://m.cnbeta.com/view/1188905.htm

其实在之前，intel就自己揭露了14核的Alder Lake-P与10核的Alder Lake-M移动端处理器，很显然，此次曝光的i7－1270P处理器是属于更高端的Alder Lake-P系列。按照当时的消息，Alder Lake-P最多包含6个性能核心和8个效率核心，而这个12核的1270P是4大8小的配置，看来为了保证功耗控制，intel优先选择的是缩减大核，不知道会不会有6大6小的处理器搭配？不过这样的配置方式大家在选购的时候要注意一下，即便同为12核处理器，也可能因为大小核配置不同存在性能差异，中学学的二元一次方程组是不是该复习一下了？

新 闻 ② ： AMD Zen3处理器B2步进12核锐龙9超频到5.1GHz：温度、功耗更低

AMD的锐龙5000系列处理器发布一年了，7nm Zen3架构IPC性能大涨19%，很好很强大。日前AMD又正式推出了B3步进的锐龙5000系列处理器，包括5950X、5900X、5900、5800X、5800、5600X，还有5700GE APU。

B2步进的锐龙5000系列在功能、性能方面没有任何变化，不要指望它有更高的频率。

不过B2步进的锐龙处理器就完全没有任何不同吗？这也不见得，有些大V如超频高玩Shamino已经提前拿到了B2步进的锐龙9 5900X处理器，并做了超频测试。

他在华硕ROG Crosshair VIII Extreme上做了超频测试，水冷下12核的核心频率提升到了5150MHz，这个成绩不算夸张，相比之前的B0步进没什么频率上的变化。

但是Shamino也提到，B2步进的锐龙9 5900X在超频之后液冷温度降低了9度，功耗降低了30W，Prime95多核心烤机中频率提升了60MHz。

此外，他会在回复网友的提问中说到，B2步进的锐龙9 5900X的内存频率也可以达到DDR4-4100，内存频率似乎比网友提到的要好些。

总的来看，B2步进的超频测试样本还比较少，现在无法证明其超频性能有了提升，但多少还是有些变化的，比如温度更低、功耗降低，高频内存更稳定，意味着在生产制造环节还是有一定优化的。

原文链接：https://m.expreview.com/80635.html

这一谈到多核，我AMD可就不困了啊！近日，AMD推出了新的B2步进Ryzen 5000处理器。虽然在默认的性能参数上与旧款B0步进并没有什么区别，但从这个超频成绩来看……B2步进的工艺显然是更加成熟了，可能会有更大的超频空间及稳定性。现在，Ryzen终于在常规水冷环境下突破了5Ghz大关！并且从截图的数据来看电压也并不算高,这个超频成绩是有真正实用意义的，算是打破了intel在5Ghz以上的霸权！不过目前，B2步进Zen3的样本数据还比较少，不知道是不是普遍拥有这样强悍的超频能力，期待更多的数据吧！

新 闻 ③ ： 南亚科技预计本季度DRAM价格将会下跌，供应链普遍短缺导致需求下降

上个月TrendForce表示，随着今年下半年智能手机、电视和Chromebook等消费类电子产品的出货量低于预期，同时存储卡和U盘在内的零售存储产品需求仍然处于低迷状态，库存水平的上升使得NAND闪存买家的采购动力下降，预测NAND闪存产品的价格将在2021年第四季度开始下跌。

无独有偶，近日全球第四大内存芯粒制造商南亚科技（排在三星、SK海力士和美光之后）在其2021Q3财报中表示，预计在第四季度，DRAM价格将会短期调整，可能会下跌，原因是市场需求减少。不过南亚科技所说的原因有点不同，主要是产业链上的各种短缺有关，覆盖消费端、服务器和移动设备市场。

目前南亚科技正在准备其第一个采用10nm级别工艺的DDR5产品，试产正在按计划进行。比较奇怪的是，南亚科技似乎仍专注于较低容量的8 Gbit芯粒。这与其他竞争对手大多集中在16 Gbit芯粒不同。在过去的一个季度里，南亚科技获得了创纪录的利润，按季度营收增长了5.3%，同比增长了55.6%。

如果DRAM价格下跌，对于需要大量内存的服务器来说是个好消息，平常DRAM占据了相当部分的成本开支。此外，智能手机制造商也会感到高兴，可以降低手机的售价，或者配置更大容量的内存。

原文链接：https://m.expreview.com/80659.html