溶液处理金属卤化物钙钛矿晶体管的 p 型特性意味着它们可以与 n 型对应物（例如铟-镓-氧化锌晶体管）结合使用，以创建互补的金属-氧化物-半导体类电路.然而，基于钙钛矿的晶体管的性能和稳定性尚未与其 n 型对应物相匹配，这限制了它们更广泛的应用。

成均馆大学Myung-Gil Kim和浦项工科大学Yong-Young Noh等人报道了基于无机铯锡三碘化物（CsSnI3）半导体层的高性能p沟道钙钛矿薄膜晶体管。

该半导体层具有中等空穴浓度和高霍尔迁移率。钙钛矿通道是通过使用具有铅取代的氟化锡改性的富含碘化铯的前体来设计薄膜组成和结晶过程而形成的。

优化后的晶体管表现出超过 50 cm2 V−1 s−1的场效应空穴迁移率和超过108的开/关电流比，以及高操作稳定性和可重复性。

Liu, A., Zhu, H., Bai, S. et al. High-performance inorganic metal halide perovskite transistors. Nat. Electron.(2022).

https://doi.org/10.1038/s41928-022-00712-2

https://www.nature.com/articles/s41928-022-00712-2

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