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ASML：摩尔定律还可延续10年，1nm芯片有戏吗！

从去年开始，半导体芯片行业出现了新的研究方向，一个是利用新的叠加芯片的方式，来提高芯片的性能，其中以苹果的M1double双芯为代表，我国的华为也发表了这一方面的专利，另外一个是光子芯片的研发，其中荷兰政府已经出资组建高校和科研机构成立了项目组。

这是因为在行业中，大部分人认为由于摩尔定律半导体的材料受限，目前的3nm制程至少在两年内还是可以继续提供最先进制程的芯片，但是大家对于尚在计划中的1nm或者2nm的芯片，是否可以取得成功颇有争议。

业界的研发人员都希望能够在突破摩尔定律方面或者绕开摩尔定律限制方面开始未雨绸缪。但是，2022年5月17日报道称，ASML在公众号发表文章，称现有的技术可以实现1nm的工艺，摩尔定律还可以继续生效十年或者更长的时间。

ASML：摩尔定律还可延续10年，1nm工艺有望

ASML在文章中称，半导体领域中，摩尔定律一直在过去的50年里不断演化和推进，摩尔提出以最小的成本制造复杂芯片的预测，目前被解读为版代替芯片可容纳的晶体管数量的呈倍数增长。

摩尔总结了晶体管数量翻倍的三个重要的因素是：增加芯片的面积、缩小元件的尺寸和优化电路设计。ASML认为这三个要素目前行业将在未来十年甚至更长的时间内继续得以提升。

ASML分析了在元件方面目前的创新技术已经可以将芯片的制程推进到1nm节点，目前的前瞻性技术包括gate-all-around FETs，nanosheet FETs，forksheet FETs，以及 complementary FETs 等均由很大的机会可以实现这一条件。

ASML还认为在光刻机的分辨率上还可以进行改进，边缘放置误差对精度的衡量的更加精确可以进一步制作更小的芯片。

ASML的意思就是摩尔提出的上述的三个条件中，至少增加芯片的面积、缩小元件的尺寸这两个方面业界是极有机会可以继续推进的，当然优化集成电路设计是始终都可以进行的，所以三个条件都具备，以此理论上来说，摩尔定律还没有到极限，1nm制程是完全有可能的。

ASML这几年一直在致力于更加先进制程的光刻机，据资料显示，ASML已经完成了2nm光刻机的研发，而且首台最先进的光刻机将首发英特尔公司。

ASML正在制作1nm光刻机

在2020年的12月份，在日本女东京举办的ITF的论坛上，与ASML合作开发光刻技术的比利时半导体研究组织IMEC在微尺度级别上宣布了3nm及以下工艺的技术细节。称ASML为3m，2nm，1.5nm，1nm甚至Sub 1nm制定了清晰的路线图，1nm时代将使光刻机的尺寸大大增加。

半导体研究机构IMEC和ASML一直在合作开发EUV光刻，尤其是关注在超精细规模的研发上，在这次大会上IMEC宣布了1nm及以下工艺的路线图

，用以做证可以实现高精度的光刻技术。

而且，IMEC称ASML已经完成了高NAEUV曝光系统的基本设计并计划2022年实现商业化。以上这些是在2020年中旬的时候ASML的计划和公开的信息。

写到这里

结合近日ASML认为1nm光刻机可以落地实现，确实也还在ASML的计划之内。不过用于突破2nm，1nm的光刻机，其制造成本是否会非常昂贵，对于芯片厂商来说，这也是需要考虑的很重要的问题。

资料显示，包括日本在内的许多半导体公司已经推出了工艺小型化的研究并宣告摩尔定律已经终结，或者也是高铝过于昂贵的造价失去了盈利动力。最为世界精工代表的日本，推出EUV光刻开发，也加大了业界对于是否有必要继续推进摩尔定律的疑问。

无论如何，相信ASML可以造出1nm的光刻机，但是是否会因为成本过高无法应用在商业领域，这个就需要跟进进一步的消息了。

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