一说高速内存，大家首先想到的就是DDR5，双通道的带宽轻松超过50GB/s，高频版的逐渐逼近100GB/s，然而，其在三星HBM3内存上堪称是小巫见大巫，这款内存带宽轻松超过了1024GB/s。

JEDEC组织今年初发布了HBM3的标准，继续在存储密度、带宽、通道、可靠性、能效等各个层面进行扩充升级，其中传输数据率在HBM2基础上再次翻番，每个针脚(pin)的传输率为6.4Gbps，配合1024-bit位宽，单颗最高带宽可达819GB/s。

三星研发的新一代HBM3内存阵脚速率更高，达到了8Gbps/pin，堆栈4颗的情况下带宽轻松达到1024GB/s，是DDR5内存的十几倍。

另外，频率越高的话出错也更多，为此三星还有更强的内存纠错功能，每个HBM内存芯片都内置了1组ECC纠错电路，确保数据准确性