对于14nm的工艺来说，只需要DUV光刻机通过多次曝光，就可以实现量产制造的需求。在美国还没有全面限制我国半导体行业之前，我国从asml公司进口过一批DUV光刻机。只不过因为制程工艺的原因，这些设备发挥不出应有的水平。

之前中芯国际给华为代工了一款名为麒麟710a的手机芯片，这款芯片就相当于把台积电版本的麒麟710换成了中芯国际的工艺。在初代台积电7nm工艺的时候，就是用DUV光刻机进行实现。相对于台积电的上一代的16nm，7nm可以提供3.3倍的电路密度。相同功耗，可以提供35-40%的性能提升。如果基于相同的性能做比较，功耗可降低65%。

在这种工艺下，需要DUV光刻机进行多次曝光才能够完成。而EUV光刻机，可以一次完成。想要进一步发展更精密的技术，EUV光刻机是必不可少的。

中芯国际已经布局发展先进制程工艺了，但是受制于设备跟材料的问题，暂缓了生产测试的方案。自从2017年梁孟松加入中芯国际以来，中芯的技术发展迎来了快速迭代的发展。只用了不到1年的时间，就让中芯国际的14nm工艺成功进行了流片测试。

但是在一些材料跟技术上面，中芯国际的14nm工艺还是需要依靠美方进行供应。梁孟松带队一边研发新技术，一边在老旧工艺上面开始采用国产供应链进行生产制造，逐步发展去美化路线。

前几天上海企业发布声明，称14nm工艺迎来了技术性的突破。这其中大概率是梁孟松团队在技术上面打破了美国的垄断，实现了国产技术的替代性。下一步，就是要依靠这个技术，不断进行优化，解决良品率跟兼容性的问题了。

在ASML还没有出品EUV光刻机的时候，2015年台积电就将工艺推到了14纳米的水平。靠的就是这个ASML上一代的DUV光刻机多次曝光技术。ASML上一代的浸没式DUV光源的光刻机，一次曝光可以生产的最小尺寸是28纳米。台积电就开发出来了这个多次曝光技术，用DUV光刻机也能生产尺寸小于28纳米的芯片。这一技术的极限是7纳米工艺。

所以，当中芯国际挖过来台积电工程师的时候，也就将台积电的这个技术思路一起挖过来了。既然台积电已经把这条技术线路走通了，中芯国际就只管推下去，不用担心技术线路走错了。所以，就经过摸索，用ASML上一代的DUV光刻机，“复刻”出来了台积电曾经实现的技术，也就生产出来了14纳米工艺，甚至7纳米工艺的芯片了。

当前，台积电因为拥有了EUV光刻机，所以就将7纳米芯片的生产也转到用EUV来做，原因就是用EUV技术线路的成本低于DUV技术线路。但中芯国际没有EUV光刻机，就只能是“复刻”出来台积电在2015年用DUV生产14纳米的这个技术线路了。据说，台积电现在因为手里EUV的数量不足，所以DUV多次曝光技术线路也在同时使用着。也就是说，中芯国际在这条DUV技术线路上，大致上追上了台积电的进度。