【编者按】2023年度中国IC风云榜全新升级，首次与中国汽车报强强联手、通力合作，整合汽车产业链资源，本届年会进一步扩展赛道形成30大奖项，覆盖领域更广、产业触达程度更深、行业影响力更大。本次评委会由中国半导体投资联盟超100家会员单位和数百位行业CEO担任，奖项名单将于2023中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
本期候选企业：深圳市时创意电子有限公司（简称，时创意）
【参选奖项】：年度技术突破奖、年度优秀创新产品奖、年度持续创新奖
时创意成立于2008年，是一家在存储芯片领域具备芯片设计、软固件研发、封装测试、模组生产测试及应用于一体的国家高新技术企业和国家专精特新“小巨人”企业。
时创意拥有全球领先的芯片封装、测试和现代化模组工厂，形成了完整的供应链生态系统。产品及业务涵盖智能手机（eMMC/LPDDR等嵌入式存储芯片）、PC（SSD固态硬盘、DRAM内存模组）、服务器（企业级SSD固态硬盘、企业级DRAM内存模组）三大应用场景的存储产品及移动存储产品，为全球客户提供一站式存储解决方案和产品定制化服务。
时创意总部坐落于深圳宝安，拥有时创意（存储芯片封装）和数钛芯（存储模组制造）两座先进工厂，并在深圳南山、上海长宁、四川成都、中国台湾设立全球营销和研发中心，在中国香港设立全球物流中心,形成了从存储芯片研发、封装测试、模组制造的全产业链战略布局。
凭借专业的人才队伍、先进的管理理念、顶尖的设备投入、领先的技术创新、精湛的制造工艺和严格的质量标准，时创意已成为国内最专业的存储芯片方案解决商之一。时创意秉承着“团结、务实、创新、分享”的企业理念，不忘初“芯”，致力于成为国际一流的存储方案解决商。
研发投入方面，2021年投入1.43亿元，2019年至今累计固定资产投入3.38亿人民币。
持续的研发投入，也让时创意不断取得技术上的突破。时创意创新开发了256G eMMC晶圆级自主多层叠die技术。该技术采用（-25℃~85℃）的闪存颗粒，搭配全自主方案设计，支持LDPC引擎纠错，通过软硬件算法双重解码，可实现150-170bit/2KB ECC 纠错能力；强大的数据纠错能力不仅提高了数据的准确性与完整性，也提高了产品的可靠性与寿命；在芯片算法层面也做了大量优化，通过自由专利的TLC直写和弹性管理算法，既满足了客户对产品的性能需求，也保证了产品寿命不受损失，可对客户进行远程在线升级；良好兼容性，广范兼容展锐UNISOC、联发可MTK、瑞芯微ROCKCHIP、全志Allwinner、 晶晨Amlogic等平台。
此外，时创意在UFS产品方面也取得突破，该产品具有国产自主领先的晶圆级芯片集成封装设计能力，先进的封装设备，可实现存储产品的小型化、模块化和多功能化。
UFS具有高速、稳定、耐用等特点，UFS2.2加入了写入增强器（WriteBooster）、深度睡眠(DeepSleep)、性能调整通知（PerformanceThrottlingNotification）三项新特性后，UFS2.2理论带宽及性能较eMMC5.1有了大幅提升。
UFS2.2能够使终端设备快速进入和退出低功耗模式，保证设备低功耗运行的同时，不影响用户使用体验。用户可以明显感受到接收/传输文件、加载应用的速度提升，例如在读取4K高清影片时，UFS2.2所需时间更短，加载所需要的时间不到eMMC5.1的1/3，相应在体验游戏时，搭载UFS2.2的设备延迟更低，画面更流畅，不会出现卡顿，为消费者带来优质的移动体验。
UFS产品主要性能和指标如下。
接 口：UFS2.2
容 量：64GB~256GB
工作温度：–25˚Cto+85˚C
工作电压：VCC:3.3V；VCCQ:1.8V
读写速度：800MB/s；300MB/s
产品尺寸：11.5x13x1.0mm（BGA153）
凭借在技术方面的创新与突破，时创意在消费级的产品ePOP也取得了新进展。值得关注的是，时创意参与本次“中国IC风云榜年度优秀创新产品奖”的是ePOP产品。
据悉，ePOP集成eMMC5.1+LPDDR4X，是一款低功耗、高性能的小尺寸POP封装产品，超小尺寸8*9.5mm，厚度低至0.8mm，容量最大支持32GB+16Gb，具有性能快，容量大，功耗低的特性，定义全新的智能穿戴存储产品，助力智能穿戴装置使用更轻薄，体验更流畅，应用更丰富的需求。目前已在各大主流穿戴厂商导入应用。
ePOP产品采用先进的晶圆封装技术，精密的晶圆研磨切割技术，精细的叠层和引线技术、超小超博的封装设计技术等。ePOP广泛应用于高端智能穿戴设备，获得市场的好评，国产制造的品质得到客户的一致认可。
ePOP的主要性能和指标如下所示。
【奖项申报入口】
2023中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼即将于12月在合肥举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行中，欢迎报名参与。
【年度持续创新奖】
“年度持续创新奖”旨在表彰在企业在发展过程中，能够凭借强大的技术沉淀和持续创新，不断站在行业技术前沿，并推动自身实现可持续发展的优秀企业。
【报名条件】
1、长期深耕半导体相关产业，具有显著的技术竞争优势；
2、企业高度重视技术的自主研发且在前沿技术方面有较大研发投入；
3、在公司发展过程中能够持续创新、迭代，技术创新成果能够助力企业实现可持续发展。
【评选标准】
1、技术持续创新频次及创新点40%；
2、创新技术产品转化情况40%；
3、创新技术对企业营收影响20%。
【年度技术突破奖】
“年度技术突破奖”奖项旨在表彰技术不断创新迭代，攻克难关，技术水平国际先进或国内领先，推动全球科技潮流向前迈进的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2022年发布的新技术产品有重大技术突破，代表国际/国内先进水平；
2、产品应用范围广，市场反馈及前景良好，对全球/国内半导体产业的发展起到重要作用。
【评选标准】
1、技术产品主要性能和指标30%；
2、技术突破创新性50%；
3、市场应用20%。
【年度优秀创新产品奖】
“年度优秀创新产品奖”旨在表彰填补国际、国内空白或者国产替代，有效解决“卡脖子问题”的优秀创新企业，促进完善国家集成电路产业链自立自强。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，面向近一年内研发成功；
2、技术创新性强，具有自主知识产权，有效解决卡脖子问题，促进完善供应链自立自强并产生效益的创新产品。
【评选标准】
1、技术产品主要性能和指标20%；
2、技术创新性40%；
3、销售情况40%。
（校对/黄仁贵）
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