投资116亿！国内新增氮化镓IDM项目|mocvd|氮化镓|碳化硅|靶材

第三代半导体论坛2022将于12月28日在苏州召开！

半导体CMP材料与靶材研讨会2022将于12月29日在苏州召开！

12月11日，西咸新区泾河新城官微发布消息称，他们已经与江西誉鸿锦材料科技有限公司签订了战略合作框架协议。

此次签约意味着总投资116亿元的西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目正式落户泾河新城。

报道称，该项目将建立第三代化合物半导体研发中心，开展氮化镓基半导体核心技术攻关、新品研发等工作。项目达产后，可实现年产值500亿元，实现年上缴税收约25亿元。

据了解，该项目建设单位是江西誉鸿锦材料科技有限公司，成立于2021年1月，专注于GaN电子器件研发，并掌握了氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术。

值得注意的是，誉鸿锦材料的子公司江西誉鸿锦芯片主要从事高品质GaN电子材料和高端光电材料的MOCVD外延生长及器件、模组的研发和生产制造。

此前，他们设计紫外LED和GaN蓝绿激光器的研发和生产。同时，他们还具备功率器件的生产能力，拥有4/6/8寸氮化镓外延生产线和一条SBD/HEMT芯片中试生产线，一条封装测试线，具备每月产能5万片，对应约1.5亿颗芯片。

根据江西誉鸿锦芯片的公开资料，他们未来五年将致力于实现氮化镓电子器件和高端光电器件等领域的"中国智造"，并规划总投资约50亿元建设氮化镓项目：

一期：投资约3亿元，其中生产设备投资2.7亿元，建设包含6台MOCVD的氮化镓外延生产线（投资约1亿元），一条芯片中试生产线（投资约1.3亿元）以及一条封装测试线（投资约7000万元），一期将可形成月产能1500片，对应约1500万颗芯片。

二期：投资金额约9亿元，投资新增10台MOCVD的氮化镓外延片生产线，建一条芯片量产线和再增加10台MOCVD的氮化镓外延片生产线，可形成月产能6000片，对应约6000万颗芯片。

三期：投资金额约38亿元，其中增加两条氮化镓芯片生产线，月产能20000片，对应约2亿颗芯片，项目完成后将可实现年主营业务收入达100亿左右。

作为新一代通信、新能源汽车、高速列车等新兴战略产业的核心材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点。

碳化硅6英寸晶圆产能处于飞速扩张期，同时以Wolfspeed、意法半导体为代表的头部厂商已经达产8吋碳化硅晶圆。国内厂商如三安、山东天岳、天科合达等厂商主要以6吋晶圆为主，相关项目20余个，投资逾300亿元；国产8吋晶圆技术突破也正迎头赶上。得益于电动汽车及充电基础设施的发展，预计2022-2025年间碳化硅器件的市场增长率将达30%。衬底未来几年内依然是碳化硅器件的主要产能限制因素。

氮化镓器件目前主要由快充功率市场和5G宏基站和毫米波小基站射频市场驱动。GaN射频市场主要由Macom、Intel等占据，功率市场有英飞凌、Transphorm等。近来年，国内企业如三安、英诺赛科、海威华芯等也在积极布局氮化镓项目。另外，氮化镓激光器件快速发展。GaN半导体激光器在光刻、存储、军事、医疗等领域均有应用，目前年出货量在3亿支左右，并且近期以20%的年增长率进行增长，预计2026年市场总量达到15亿美元。

第3届第三代半导体论坛将于2022年12月28日召开。多家国内外龙头企业参会，重点关注碳化硅、氮化镓上下游产业链；最新衬底、外延、器件加工工艺和生产技术；展望氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌等宽禁带半导体前沿技术研究深度进展。并将参观国内第三代半导体材料与设备产业园区和重点企业。

会议主题

1. 美国芯片禁令对中国第三代半导体发展的影响

2. 全球与中国第三代半导体市场及产业发展现状

3. 晶圆产能供需与第三代半导体市场机遇

4. 6吋SiC项目投资与市场需求展望

5. SiC PVT长晶技术&液相法的现状及发展

6. 8吋SiC国产化进程和技术突破

7. SiC市场以及技术发展难题&解决方案

8. GaN射频器件及模块在5G基站方面的应用

9. GaN在快充市场中的发展及替代情况

10.GaN激光器件技术和市场应用