首先要告诉大家的是：目前而言，我国最先进的光刻机依然是制程工艺节点为90纳米的步进扫描投影光刻机，至于制程工艺节点达到28纳米的浸没式DUV光刻机的各个部件仍在研发之中，估计不久之后就可以完成了，从而国产光刻机的性能也将进一步得到提升。在国产半导体产业链中，光刻机是唯一的短板，只要光刻机上去了像蚀刻机，离子注入机，光刻胶等都不是问题。所以说，如今光刻机已经成为制约我国半导体产业发展的唯一因素，只要解决了掣肘的光刻机，一切就都迎刃而解了。国内芯片的现状就目前而言，在不依赖国外技术的前提下，国内最先进的光刻机制程工艺节点是90纳米，在国外技术的支撑下，不依赖极紫外EUV光刻机时，可以将芯片的制程工艺推进至7纳米。不过美国已经对我国限制了12纳米以下芯片的生产。在去美国化时，国内目前的芯片最高的制程工艺也就是14纳米。14纳米的制程工艺芯片已经可以满足国内军工、工业、航天、航空、汽车的需求了。毕竟以上企业对芯片可靠性，耐高低温，抗辐射性能要求比较高，对制程工艺并没有那么苛刻的要求。对制程工艺要求比较高的就是手机和电脑所用芯片，这可是拼硬实力的。也就是说，即便是美国限制了12纳米以下制程工艺的芯片生产，但是也无可奈何国内工业的发展。

国内光刻机的现状上文提到了，依靠我国自主的技术，仅能制造出制程工艺节点为90纳米的光刻机，不过并这不意味着使用该光刻机只能制造制程工艺为90纳米的芯片，在经过多次曝光等步骤之后，芯片的制程工艺还会有进一步的提升。倘是如此，那也无法与极紫外EUV光刻机相比。而与光刻机有关的三大部件就是光源，透镜组，双工件台。只要解决了这三大部件，光刻机所面临的难题也就迎刃而解了，同时这三大部件也是光刻机中难度最高的，毕竟事关光学，超精密加工等等。我国光刻机的三大部件第一：光源目前来看，我国已经制造出来了适用于步进投影式DUV光刻机的第三代光源，也就是波长达到248纳米，重复频率为4000hz，功率为40瓦的氟化氪激光器。由于波长只有248纳米，也就自然无法用于极紫外EUV光刻机，毕竟极紫外EUV光刻机所用的光源波长为13.5纳米。第二：透镜组由于国内与光刻机有关的透镜或者反射镜的消息很少被披露出来，所以对于国内的物镜系统的有关进度是知之甚少。既然有了成熟可用的步进式投影式DUV光刻机，那么透镜系统就必然已经被制造出来了。不过，这只是透镜而不是反射镜，也无法用于极紫外EUV光刻机。

第三：双工件台双工件台也有现成的，那就是自主研发的DWS系列。该双工件台的平均运动偏差为4.5纳米，标准运动偏差为7纳米，最大速度为1.1米/秒，最大加速度为2.4g。正在研发DWSI系列，同样采用了磁悬浮平面电机驱动，不过换成了平面光栅干涉位移测量技术。在以上技术的加成下，就缩小了运动偏差，加速度，运动速度等数据。最终DWSI双工件台的平均运动偏差为2.5纳米，标准运动偏差为5纳米，最大速度为1.5米/秒，最大加速速度为3.2g。国际先进光刻机的现状国际最先进的光刻机制造厂家就是ASML，当然了极紫外EUV光刻机的部件是相当精密的，需要全球主要发达国家的支持。第一:光源ASML生产的极紫外EUV光刻机，采用了Cymer公司研发的波长为13.5纳米，功率为250W的激光等离子体光源。早期Cymer公司还属于美国，只不过最后被ASML收购了。