我们华林科纳研究了基于柠檬酸

(CA)

的清洗液来去除金属污染物硅片表面。

采用旋涂法对硅片进行

Fe

Ca

Zn

Na

Al

Cu

等标准污染，并在各种添加

Ca

的清洗液中进行清洗。

金属的浓度采用气相分解耦合等离子体质谱仪

(VPD/ICP-MS)

对清洗前后硅片表面的污染物进行分析。

并对其表面微粗糙度进行了测量通过原子力显微镜

(AFM)

来评估清洗溶液的效果。

结果表明

:CA/H2O

溶液呈酸性能去除硅表面的金属污染物。

硅表面的

Fe

Ca

Zn

Na

1012

个原子

/cm2

的数量级下降到大约是

109

个原子

平方厘米即使在低

CA

浓度，低温度下

CA

溶液，浸渍时间短。

CA

在碱清洗溶液中也有很好的效果。

铁，钙，锌，钠和铜被还原为

109

个原子

平方厘米在

CA

加入

NH4OH/H2O2/H2O

溶液中不降解表面。

柠檬酸，硅片，金属污染物，气相分解

介绍

随着

integrated(ULSI)

设备超大规模工艺对污染物的要求越来越严格，清洁工艺变得更加重要。

晶圆片表面的金属污染物是其性能的主要，例如增加

p-n

结漏电，降低氧化物击穿电压，加速载流子寿命的测定。据报道硅表面的金属污染需要加以抑制小于

1×1010

原子

/cm2

用于制造

64

DRAM

以防止上述故障的发生。

在未来，这个级别应该精确到

1×109

原子

平方厘米。首次提出了基于

H2O2

化学的湿法清洗技术通过

Kern

仍然主要用于半导体设备制造去除污染物，并已在最近几年的各种方法，以提高清洁效果或减少化学物质的消耗。略

结果与讨论

详细可以关注获取

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