打开网易新闻 查看精彩图片

近日，中国科协和人社部、科技部、国务院国资委联合发文，表彰第三届全国创新争先奖获得者，湖南共有10名科技工作者入选。其中，来自株洲中车时代电气股份有限公司的功率半导体专家刘国友光荣上榜。

打开网易新闻 查看精彩图片
打开网易新闻 查看精彩图片

据了解，刘国友在中车从事功率半导体研究三十余载，带领团队率先突破了高铁IGBT芯片关键技术，引领8英寸高压IGBT芯片产业化。在高压IGBT、超大功率晶闸管和SiC等“卡脖子”芯片技术领域实现技术创新与自主可控，为我国高铁、智能电网等高端装备制造业和新能源、电动汽车等战略性新兴产业的可持续发展提供了智力支撑。

株洲中车时代电气股份有限公司专家 刘国友：我们几十年功率半导体的发展，实际上就是不断解决很多很多问题的一个过程。我们一方面是超越我们自己，另一方面是希望超越我们的对手。碰到问题不要回避，每解决一个问题实际上都是一次进步的机会。

打开网易新闻 查看精彩图片
打开网易新闻 查看精彩图片

据了解，全国创新争先奖于2017年设立，三年一届。表彰在面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康的科技创新领域作出突出贡献的个人和集体。这份荣誉是对他们献身科技事业的肯定。

株洲中车时代电气股份有限公司专家 刘国友：未来我们会在IGBT这个技术之上，继续在碳化硅、氮化镓等宽禁带技术道路上更加地努力，争取把我们株洲打造成为全国新型功率半导体器件的一个技术高地，为我们株洲的经济高质量发展做出我们中车半导体人的贡献。

记者丨黄俊文 龙羽

编辑丨刘跃辉 审核丨彭敏