光信号的守护者:栅极驱动光耦技术的无限潜力|igbt|mosfet|东芝|光耦技术|栅极|耦合器

定义

栅极驱动光耦包含一个GaAsP LED，LED光耦合到一个集成电路的功率输出级。这些光耦比较适合驱动功率IGBT和MOSFET的栅极，较高的输出电压能达到功率器件的栅极电压驱动要求。电压和电流由这些光耦提供，使它们能直接驱动高达1200V/100A的IGBT。

特点

1.输出电流大，电源电流小

由于使用BiCD工艺制造的输出级，TLP358H结合了高达6.0 A的输出电流和至多2.0 mA的低电源电流。TLP358H的峰值输出电流为6.0 A，可直接驱动1200V / 200A级IGBT。

2.轨对轨输出

典型的IGBT/MOSFET驱动光耦器的输出不会从GND到Vcc摆动;输出电压比Vcc低几伏。东芝提供带导轨的光电耦合器对轨输出，几乎在GND和Vcc之间摆动。轨对轨输出有助于降低光电耦合器和IGBT/MOSFET的开关损耗。

3.欠压闭锁(UVLO)

东芝的大多数IGBT/MOSFET驱动器光电耦合器都具有UVLO功能，可防止在欠压情况下发生故障。UVLO保持输出低，直到电源电压超过上升的UVLO阈值，以防止光电耦合器的假输出，从而导致驱动IGBT/MOSFET的故障。

4.高共模瞬态抗扰度

应用于光耦输入和输出之间的陡峭电压变化率（dV/dt）可能导致逆变器电路故障。为提高光耦的共模瞬态抗扰度，可在输入和输出之间添加静电屏蔽层，将位移电流绕过至地。为直接驱动IGBT/MOSFET栅极提供足够的共模瞬态抗扰度，Toshiba的IGBT/MOSFET栅极驱动光耦器在光传感器芯片上采用了屏蔽设计。