来源 ：半导体在线、紫金山观察、南京江宁经济技术开发区

9月6日，由南京市人民政府、中国电子科技集团有限公司指导、国家第三代半导体技术创新中心主办的“第三代半导体产业创新发展大会”在江宁开发区举行。10个总投资额超百亿元产业项目在大会上签约，国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目竣工投产。

一期竣工投产 二期8英寸项目明年上马

国家第三代半导体技术创新中心（南京）由南京市人民政府、中国电子科技集团有限公司、南京江宁经济技术开发区管理委员会、中国电子科技集团公司第五十五研究所合作共建，目标聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向，重点突破材料、器件、工艺和装备技术瓶颈，保障国家重点产业战略安全。目前，创新中心拥有一支高水平技术团队，人员覆盖芯片设计、单项工艺、工艺整合可靠性保障、应用支撑等方面。

自2021年6月挂牌设立以来，创新中心不断取得科技创新领域突破，SiC（碳化硅）芯片已实现自主研发、自主生产，稳定了国内车企的供货渠道，已累计装载百万辆新能源车。

目前，创新中心主要围绕SiC器件技术开展研究工作，建立了成熟的SiC肖特基二极管和MOSFET（金属—氧化物—半导体场效应管）产品技术并成功完成成果转化，其中，研发的中低压系列产品基本达到国外量产化技术水平，高压产品的核心指标达到国际先进水平。

国家第三代半导体技术创新中心（南京）负责人介绍，一期项目依托五十五所原有厂房区域，“以存量带增量”的方式，打造6英寸SiC电力电子器件研发与中试平台。

随着一期项目投运，二期项目的建设排上了“时间表”。记者了解到，二期项目计划于2024年开建，规划年产20万片8英寸圆片。工厂将设计8英寸第三代半导体芯片制造、先进晶圆封装、模块封装平台，实现孵化、成果转化、学术交流、公共服务等功能。

在业内，进军8英寸衬底被视为降低成本的关键之举。相对于6英寸，8英寸的面积增加78%左右，由于边缘损耗减少，同等条件下从8英寸衬底切出的芯片数会增加将近90%。

“我们必须在一些核心关键领域拥有绝对的一技之长。”中国电科集团总经理陈锡明说。他预测，未来2—3年，既是全球第三代半导体市场全面爆发的关键时期，也是我国抢占行业话语权和制高点的重大机遇期。

碳化硅MOSFET芯片 已装上200万辆新能源车

国家第三代半导体技术创新中心（南京）主任陈辰介绍：“经过摸底调研，我们排出国家重点需求在新能源汽车、光伏、轨道交通、高压输变电、智能电网等五大跑道，于是确定攻坚‘新能源汽车用高电流密度高可靠碳化硅MOSFET产品’和‘面向智能电网和高铁应用的高压大功率碳化硅电力电子器件’两大产品方向。我们的实施路径是从碳化硅电力电子的基础理论、材料生长、器件制备、系统应用等四个方面，联合生态伙伴们一道攻关。”

过去两年多时间，南京中心的科技团队一路披荆斩棘，收获一批重大成果，大会进行了集中发布。

突破高可靠芯片设计、电流密度增强等碳化硅MOSFET芯片关键技术，形成650V—1200V大电流碳化硅MOSFET器件系列产品，关键指标达到国际先进水平。

突破低寄生参数设计、高效散热、高可靠封装等关键功率模块关键技术，研制出750V/600AHPD、1200V/600A2in1等电驱用SiC功率模块，性能与国际先进模块相当。

记者了解到，碳化硅MOSFET芯片尺寸微不足道，仅3×3毫米见方，但它却好比新能源车车载充电机的“心脏”，能大大提高新能源车充电效率。陈辰透露：“截至目前，碳化硅MOSFET芯片已经在国内头部车企的车载电源系统中使用1300万只，保障了近200万辆汽车需求，出货量全国领先。此外，功率模块拟应用于红旗汽车的首款电驱，预计2024年正式装车。”

研发生产出一批填补国内空白的高压、大电流功率模块。相关成果在国际全碳化硅柔直变电站投入示范应用，并且在某龙头企业电力电子换流阀项目中进行了应用验证。

突破大尺寸SiC辐射探测器器件设计及制造技术，单芯片面积、暗电流、电荷收集效率等关键指标处于世界领先水平。

生产出国内首个逻辑、驱动、功率开关全GaN集成功率IC芯片，最高工作频率达到5MHz，为更高工作频率、高可靠电源应用奠定基础。

突破驱动芯片设计、微小尺寸像素阵列制备、高导热显示模组设计等关键技术，建立自主的8英寸硅基MicroLED工艺平台，实现单色微显示器的点亮与显示功能。目前，绿色MicroLED器件亮度可达到200万尼特。

总投资额超百亿元！10个产业项目签约

此次集中签约的10个项目，形成了从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局，体量大、质量高、结构优，既是园企合作全力推动项目建设的最新成果，也是全面落实国家战略，贯彻我市产业强市战略的具体体现。

1：兆熠微显示器件产业化基地项目

其中，兆熠微显示器件产业化基地项目，投资方南京国兆光电科技有限公司为中国电子科技集团55所下属企业，拥有完整的驱动芯片设计和显示器件制造技术。 项目计划建设12英寸硅基OLED量产线，满足VR等应用对硅基OLED器件的量产需要。

2：三晶第三代半导体精密装备及材料产业化项目

三晶第三代半导体精密装备及材料产业化项目，投资方南京三超新材料股份有限公司是深圳创业板挂牌上市企业，也是国内最早通过自主研发掌握金刚线制造相关技术并成功实现产业化的企业之一。公司开展背面减薄砂轮、倒角砂轮、软刀、划片刀（硬刀）以及金刚石有序排列的抛光垫修整器（CMP-Disk）等核心产品的研制和销售，为国内半导体产业链配套。

《全球Micro OLED微显市场发展趋势分析报告》

第一章 显示技术概况

一、显示技术发展历程

二、显示技术迭代与显示形态阶段

1. 第一代模拟类显示技术及其代表企业介绍

2. 第二代玻璃基平板显示技术及其代表企业介绍

3. 第三代硅基半导体显示技术及其代表企业介绍

第二章 全球XR产业及技术综述

一、XR与HMD行业概念与发展历程

1. AR行业与设备

2. VR行业与设备

3. MR行业与设备

4. 其他XR行业HMD设备

5. XR行业发展关键因素

6. 相关行业政策与规范

二、XR行业下游应用领域与市场空间

1. 消费电子市场（FPV、娱乐游戏等等）

2. 教育医疗市场

3. 工业应用市场

4. 办公应用市场

5. 其他应用领域

三、XR行业主流显示技术与趋势

1. 主要显示技术分类

（1）玻璃基技术-AMOLED, TFT-LCD

（2）Micro-OLED显示技术

（3）Micro-LED显示技术

（4）其他显示技术-LCOS,DLP等

2．AR市场主流显示技术对比与发展趋势

3. VR市场主流显示技术对比与发展趋势

4. 其他重要市场主流显示技术对比与发展趋势

四、XR行业主流显示技术出货规模预测

1. 2020~2027E全球XR行业设备出货量

2. 2020~2027E全球XR分技术别出货情况

第三章 Micro OLED技术概况及发展趋势

一、Micro OLED技术介绍与发展历程

二、Micro OLED全产业链流程介绍

1. 主要工艺流程介绍

(1) 集成电路工艺环节介绍

(2) 显示屏制造工艺环节介绍

(3) 光学整机制造工艺环节介绍

2. 典型XR产品生产流程概况

3. 典型XR产品（Vision Pro）成本结构解析

三、Micro OLED芯片设计制造

1. 芯片设计流程介绍

2. 芯片设计发展趋势

3. 芯片制造IDM及Fabless模式介绍

四、Micro OLED显示屏制造

1. Micro OLED中后段工艺流程介绍

（1）黄光段：电极制作等工艺流程

（2）蒸镀与膜层制作等工艺流程

a)WOLED制作

b)CF膜层制作

（3）切割、玻璃贴合等其他工艺流程

2. Micro OLED显示屏制造发展趋势

五、Micro OLED光学设计

1. 适配Micro OLED的光学设计介绍

（1）自由曲面

（2）Birdbath

（3）几何光波导

（4）衍射光波导

2. Micro OLED与光学组合要点与发展趋势

六、Micro OLED下游整机制造

1. Micro OLED下游整机制造流程介绍

2. 设计制造一体化在整机形态演进中的发展趋势

七、Micro OLED主要下游应用

1. XR产业应用

2. 其他消费电子应用

3. 其他非消费电子应用

第四章 全球Micro OLED产业链竞争格局分析

一、全球Micro OLED显示企业概述

二、全球Micro OLED显示企业竞争格局

1.市场份额分析

2. 研发制造能力分析

（1）芯片设计

（2）显示器件设计与制造

（3）光学设计与制造

（4）整机设计与制造

三、全球Micro OLED显示行业的竞争壁垒

1. 现有产能与扩产规划

2. 产品开发与垂直整合能力

3. 市场拓展与下游合作能力

4. 关键新技术与专利布局前瞻性

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