12英寸单层MoS2的均匀合成

二维半导体，例如过渡金属二硫族化合物，为非硅基半导体的探索提供了机会。但是，二维半导体从实验室到晶圆级别的规模化生产仍处于初步阶段，要达到稳定性和可重复性的制造标准仍具挑战性。因此，科学家致力于发展满足工业界规模-成本-性能指标的高质量晶圆级薄膜。

2023年9月28日，复旦大学微电子学院周鹏教授、包文中研究员和深圳六碳科技有限公司许子寒总经理合作，报道了一种改进后的化学气相沉积合成方法，通过控制释放前驱体和基底预沉积无定形Al2O3，实现了12英寸单层MoS2的均匀合成 ，该过程快速、无毒，有效降低了制造成本。进一步在此基础上制作了晶体管阵列，证实薄膜的高质量及其集成电路应用潜力。这项工作实现了规模-成本-性能指标的协同优化，并为推进二维半导体在行业标准中的集成奠定了基础。相关论文以“12-inch growth of uniform MoS 2 monolayer for integrated circuit manufacture”为题，发表在 Nature Materials上，论文第一作者为Xia Yin, Chen Xinyu, Wei Jinchen。

全文链接：
https://www.nature.com/articles/s41563-023-01671-5

铁电定义的可重构二维光电二极管阵列

近日，以数据为中心的应用程序的需求日益增长，正在推动图像传感、内存和计算单元接口的消除，从而有望用于延迟和能耗要求严格的应用程序。尽管专用电子硬件激发了内存计算和传感器计算的发展，但将整个信号链折叠成一个设备仍然具有挑战性。

有鉴于此，复旦大学芯片与系统前沿技术研究院王建禄教授、刘琦教授和华东师范大学物理与电子科学学院田博博研究员合作，提出铁电定义的可重构二维光电二极管阵列，用于存储器中的传感和计算一体架构。高水平的认知计算是基于光功率和光响应的乘积，通过光电流产生过程和基尔霍夫定律实现的。权重由铁电畴本地存储和编程，实现了51种（>5 比特）具有线性、对称和可逆操作特性的可区分权重状态，可以在没有任何外部存储器和计算单元的情况下执行图像识别。三合一模式集成了高级计算、权重记忆和高性能传感，为低能耗、低延迟和少硬件的计算架构铺平了道路。相关论文以“Ferroelectric-defined reconfigurable homojunctions for in-memory sensing and computing” 发表在Nature Materials上，论文第一作者为Wu Guangjian。

全文链接：
https://www.nature.com/articles/s41563-023-01676-0

来源：高分子科学前沿

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