英特尔Arc A580显卡上市
去年9月，英特尔宣布了Arc A系列显卡的完整阵容，从高到低分别是A770、A750、A580、A380、A310，但是A580一直未见踪影。
现在，英特尔官方宣布，Arc A580显卡即日起全球同步上市，首发三款产品，分别是华擎Arc A580 Chalenger OC(挑战者)、蓝戟Arc A580 Index、撼与Arc A580 Orc OC，均为双风扇设计。
Arc A580配备24个Xe核心、24个光追单元，相当于A380的三倍，相比于A750则至少了4个。
显存配置与A750是同款128-bit 8GB，带宽为512GB/s，核心频率仅为1.7GHz，整卡功耗175W。
DX12 Ultimate、光线追踪、XeSS、AV1视频编码等高级功能都是相同的，也支持Stable Diffusion等生成式AI应用。
高通官宣骁龙X系列芯片
10月11日，高通宣布了为PC设计的下一代芯片计划，正式推出了全新命名体系——骁龙X系列。高通高级副总裁兼首席营销官Don McGuire表示，这个系列在性能、AI、5G连接和电池续航方面会有突出优势，它将标志着“PC行业的拐点”。
据悉，骁龙X系列芯片将采用定制的Oryon CPU核心，主要用在笔记本电脑。面对生成式人工智能技术的不断发展，该系列芯片还将搭载NPU（神经处理单元），为用户提供更出色的AI体验。
这一系列将于高通现有的计算平台共存，而不是完全取代。根据高通的说法，如果说骁龙8cx面向的是英特尔酷睿i5，那么骁龙X系列对标的就是与英特尔酷睿i9。
英特尔宣布Intel 4已大规模量产
近日，英特尔宣布已开始采用极紫外光刻（EUV）技术大规模量产（HVM）Intel 4制程节点。Intel 4大规模量产的如期实现，再次证明了英特尔正以强大的执行力推进“四年五个制程节点”计划，并将其应用于新一代的领先产品，满足AI推动下“芯经济”指数级增长的算力需求。
作为英特尔首个采用极紫外光刻技术生产的制程节点，Intel 4与先前的节点相比，在性能、能效和晶体管密度方面均实现了显著提升。极紫外光刻技术正在驱动着算力需求最高的应用，如AI、先进移动网络、自动驾驶及新型数据中心和云应用。此外，对于英特尔顺利实现其“四年五个制程节点”计划，及在2025年重获制程领先性而言，极紫外光刻技术也起着关键作用。
英特尔公司首席执行官帕特·基辛格表示：“我为英特尔团队以及客户、供应商和合作伙伴感到骄傲，我们一起将Intel 4制程节点的大规模量产变为现实，在重获制程领先性的道路上稳步前进。”
英特尔“四年五个制程节点”计划正在顺利推进中。目前，Intel 7和Intel 4已实现大规模量产；Intel 3正在按计划推进，目标是2023年底；采用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术的Intel 20A和Intel 18A同样进展顺利，目标是2024年。英特尔将于不久后推出面向英特尔代工服务（IFS）客户的Intel 18A制程设计套件（PDK）。
英特尔的各类产品路线图同样在继续按计划推进中：采用Intel 4制程节点，产品代号为Meteor Lake的英特尔®酷睿™Ultra处理器将于今年12月14日发布，为AI PC时代铺平道路；采用Intel 3制程节点，具备高能效的能效核（E-core）至强处理器Sierra Forest将于2024年上半年上市，具备高性能的性能核（P-core）至强处理器Granite Rapids也将紧随其后推出。
芯片已形成了规模达5740亿美元的产业，在这样的背景下，英特尔提出了“芯经济”（Siliconomy）的概念，即“在芯片和软件的推动下，正在不断增长的经济形态”。英特尔指出，AI是“芯经济”的重要推动力，其蓬勃发展则始于芯片技术的创新。在摩尔定律的旗帜下，英特尔将继续探索制程、封装等领域的底层技术创新，推动算力的不断增长，助力广大客户和开发者把握“芯经济”时代的巨大社会和商业机遇。
索尼公布新款PlayStation 5主机
日前，索尼PlayStation官方正式公布了新款PlayStation 5主机，体积更小，重量更轻，光驱改为可单独拆卸，还带有全新设计的底座。与原有型号相比，新款PlayStation 5主机的体积缩小了30%以上，重量分别减少了18%和24%，拥有四个独立的盖板，顶部部分仍然是光滑的，底部为哑光。
新款PlayStation 5主机将于11月开始在美国部分零售商和官网上发售，分为带有蓝光光驱的标准版和没有蓝光光驱的数字版，接下来几个月将会推向全球，原有机型将逐步被新机型取代。
新款PlayStation 5主机将配备一个支架，可单独出售，可拆卸蓝光光驱也能单独出售，索尼还会提供不同颜色的主机盖，2024年初发售。
美光推出1β工艺的DRAM内存
美光日前宣布，推出使用最新的1β（1-beta）工艺节点批量生产的16Gb DDR5内存，速率达到了7200MT/s。美光表示，新款DRAM芯片采用了high-k CMOS器件技术，相比上一代产品，性能提升了50%，每瓦性能提高了33%，现已交付给所有数据中心和PC客户。
去年末，美光推出了1β工艺节点，无论性能、位密度还是电源效率上都有显著的收益，而且还能降低DRAM成本，将带来广泛的市场优势。
美光核心计算设计工程集团公司副总裁Brian Callaway表示，采用1β工艺节点的DDR5内存进入大批量生产及应用是行业内的一个重要里程碑，与生态系统合作伙伴及客户合作将推动高性能内存更快地被采用。美光将会有多款产品采用1β工艺节点，除了DDR5外，还包括LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。
美光计划继续投资数十亿美元，将晶圆厂转变为技术领先、高度自动化、可持续发展、以及人工智能驱动的设施。
小米Redmi K70系列充电升级
近日，小米有一款2311DRK48C新机通过了3C认证，据悉是Redmi K70系列产品。根据认证信息，新机申请人和制造商为小米通讯技术有限公司，配备最高功率为90W充电器。
作为对比，Redmi K60系列中的标准版机型仅支持67W快速充电，Redmi K70系列机型的充电速度或许有所提升。
据爆料，Redmi K70系列的工程机配备2K新基材国产直屏，采用没有塑料支架的极窄屏设计，机身为金属中框+新玻璃材质，配备5000万像素OIS大底主摄+3.X中焦镜头，搭载5000+mAh电池+百瓦级闪充。
Redmi K70系列预计有3款机型，Redmi K70 Pro预计将搭载骁龙8 Gen 3移动平台，Redmi K70将搭载骁龙8 Gen 2移动平台，Redmi K70 E将搭载Dimensity 9200+处理器。
英伟达公开2024-2025年数据中心路线图
近日，英伟达在投资者简报中介绍了包括HBM3e、PCI Express标准（6.0/7.0）更新和多GPU互联技术更新等内容，同时还放出了产品路线图，上面展示了其2024年至2025年数据中心的规划。
根据这次英伟达公布的2024年至2025年数据中心路线图，基于Hopper架构的GH200将会在2024年至2025年之间被基于Blackwell架构的GB200代替，一年之后还会有GX200。英伟达这次的路线图证实了GB200是用于数据中心，而不是传闻的GB100/102，对应的产品名称是B100等。
Blackwell架构是一个跨越数据中心到消费端的新一代架构，涵盖计算卡、游戏显卡、人工智能（AI）和视觉运算等产品，其他产品的一些代号还有待确认。此外，Blackwell之后英伟达使用的是“X”，暂时无法确定是纪念哪一位科学家。此外，英伟达的架构更新周期一般在两年左右，而Blackwell到“X”仅相隔一年，进度还挺快的。
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