美光最新发布的技术路线图揭示了其未来几年内存产品的发展计划，包括DDR5、GDDR7和HBM4E内存技术。这一消息引起了业界广泛关注，特别是GDDR7的推出时间和性能升级，对于即将发布的英伟达GPU芯片有着直接的关联。
根据美光的最新计划，GDDR7内存的首次亮相将从之前的2024年上半年推迟至年底。首批GDDR7内存的容量将提升至24Gb，带宽为32Gb/s，相较于目前最先进的GDDR6X模组，不仅容量更大，而且带宽也有所提高。预计到了2026年下半年，更快速的GDDR7内存将面市，其容量和带宽将进一步增至36Gb/s。这一时机也与英伟达计划在2025年发布的Blackwell GPU相吻合，预计英伟达下一代GeForce RTX 50系列将采用美光GDDR7内存，为图形性能提供更强大的支持。
另一方面，美光的HBM（High Bandwidth Memory）技术也有着令人瞩目的升级计划。当前第二代HBM3的运行速度为1.2TB/s，通过8层堆叠实现，而在2026年，美光计划推出12和16层堆叠的HBM4，其带宽将超过1.5TB/s。更令人期待的是，到了2027年至2028年，美光将发布12层和16层堆栈的HBM4E，其带宽可达2TB/s以上，为高性能计算和图形处理提供更为强大的内存支持。
在DDR5内存领域，美光计划针对不同用户和数据中心需求推出多条产品线，基于新的32Gb单体设计。这些高容量模块将涵盖从128GB DDR5-8000内存条一直延伸至2026年供台式机用户使用。对于服务器市场，美光还在开发速度为8000 MT/s的MCRDIMM产品，其巅峰设计将在2025年底推出，为256GB内存条，运行速度为12800Mb/s。
在移动领域，美光计划在2024年底采用Dell CAMM标准，重点似乎在提高内存容量而非带宽。公司表示，到2026年前将推出8533Mb/s速率的内存条，首次设计的每条将提供16GB至128GB容量，而到2026年下半年，每个模组容量将增至192GB或更高。
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