金融界2023年12月2日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种沟槽MOS的制备工艺及沟槽MOS器件”的专利，公开号CN117153676A，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，本申请通过本申请的制备工艺在多个所述沟槽中从靠近沟槽内壁向远离沟槽内壁依次生长第一氧化硅层、淀积氮化硅层和淀积第二氧化硅层；通过将深入外延层的底部第一栅极多晶硅作为场板，增强沟槽之间的横向耗尽，较厚的沟槽底部场氧可以抑制电场的集中，这样就可使用掺杂浓度更浓的外延层来实现相同的耐压，从而降低导通电阻。

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