金融界2023年12月2日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种三层并联的增强型GaN-HFET及其制备方法“，公开号CN117153683A，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，一种三层并联的增强型GaN-HFET及其制备方法。涉及半导体技术领域。本发明的技术方案是：制备三层向上叠加的异质结结构，利用每一层结构下层高阻氮化镓层和上层氮化硅保护层隔离不同层电性，使不同层结构的电性相互不影响；每一层均有完整的栅、漏、源极区域，通过在终端做两段栅、源、漏方形金属通孔，使三层结构的栅、漏、源极实现金属互联；此外H离子钝化P-GaN工艺也避免了刻蚀工艺带来的刻蚀损伤，大大提升了器件的可靠性能力。使用此结构制备的YJGAN65030C1器件具有680V的耐压，具有30A的通流。与市场上同耐压、同尺寸的SJ Si mos和SiC mos相比，通流方面有显著的优势。

本文源自金融界