SK海力士于CES上在以“存储，AI的力量”（Memory, the Power of AI）为主题的演讲上宣布DRAM将告别减产趋势，计划于一季度增加DRAM芯片产能。

CES上，SK海力士充分展现在高性能运算和AI需求大幅增加的新时代中，维持高度竞争优势的自信度。 SK海力士社长郭鲁正指出，在准备好生产的产品，以及最大限度提高投资效率和维持财务健全性的前提下，未来3年内 SK海力士市值将翻一倍，从目前100兆韩元提升至200兆韩元。

郭鲁正表示，随着生成式AI普及，存储芯片的重要性地位举足轻重，我们正在引领以存储为中心的AI无处不在的时代，将向信息通信技术行业供应全球最好的产品。

之前DRAM和NAND Flash等存储芯片需求疲弱，各大存储原厂都加入减产计划。这次SK海力士在CES上宣布：“告别减产趋势，将在第一季度增加DRAM芯片产能，而NAND Flash芯片的产能是否也调整，则要视未来市场情况而定，NAND Flash市况已触底，未来调整生产计划的可能性高。”

不单是SK海力士，两大韩系存储厂一直都传出有要增加2024年投资。三星2024年计划增加27兆韩元的半导体投资，SK海力士增加5.3兆韩元，相较2023年投资金额分别成长25%和100%。三星和SK海力士也调高2024年产能，前者计划DRAM和NAND Flash产能分别增加24%，后者计划DRAM产量提高到2022年底前的水准。

SK海力士从2023年下半起，即减少DDR4的生产比重，2024年目标是增产DDR5和HBM3等芯片，以及扩大投资针对HBM芯片的硅穿孔TSV技术。

日前已传出英伟达Nvidia付了超过一笔超过5亿美元的金额，来确保SK海力士的HBM3E高宽带内存货源，恐固AI霸主的战力！而SK海力士拿到这笔数字不小的预付款，可以用来扩大对硅穿孔技术设备的投资。此外，英伟达传出也同步下单美光的HBM货源。

在CES上，SK海力士提出的“以存储为中心（Memory Centric）”的未来愿景，其核心技术就是使用在生成式AI的第五代高性能运算芯片“HBM3E”等高宽带存储产品。

SK海力士的HBM3E是原本HBM3的扩展版，沿袭了之前的HBM、HBM2、HBM2E和HBM3等前代技术。

HBM受惠生成式AI需求暴增，数据中心GPU对HBM存储的需求大增。相较传统的DDR/GDDR内存，HBM尺寸更小、效率更好且具有更高的传输频宽。

HBM封装内部采用3D堆叠技术，堆叠多层裸晶再通过硅穿孔TSV和微凸块焊锡microbump技术进行连接。 HBM 控制器逻辑裸晶位在堆叠的下方，并透过硅中介层silicon interposer与CPU/GPU 进行互连，这样结构可以让CPU/GPU 和存储芯片之间有更多的连接接触点，增加传出频宽。

此外，针对下一代的HBM4，SK海力士考虑直接堆叠在处理器上，这样的做法不但是改变逻辑和存储互连的方式，也会改变代工和存储的生产方式。

为了进一步确定HBM4的技术蓝图，SK海力士与逻辑制程的IC设计公司紧密合作，英伟达一定是参与该计划的企业之一。预计HBM4最快将在2026年开始量产。