功率半导体的技术创新发展致力于提高能量的转换效率，而Si器件的性能已接近材料瓶颈，第三代（宽禁带）半导体材料的出现，恰好弥补了Si材料性能的不足。其临界击穿场强高，禁带宽度高，电子饱和漂移率高，热导率和耐温高等材料特性，使SiC器件在高频率、高效率，高功率密度等维度上拥有无可比拟的优势。

维安作为功率控制领域全方案供应商，继SiC肖特基二极管后，又开发完成了SiC MOSFET系列产品，产品电压涵盖1200V~1700V，电阻涵盖32mΩ~50Ω，并根据产品应用的需求，推出TO-247-3L，TO-247-4L，TO-263-7L等封装。产品适用于工业及新能源行业的充电桩，光伏逆变器，储能逆变器，高性能辅助电源等应用场景。

#维安SiC MOSFET产品Road Map

#维安SiC MOSFET产品系列

T2B系列

  • 推荐开通电压 15V
  • 优异的FOM特性
  • 高开关速度
  • 极低的开关损耗
  • 高阻断电压及低导通电阻
  • 体二极管的低Qrr
  • 关断损耗不随温度升高而变大
  • 无卤，符合RoHS标准

T2C系列

  • 推荐开通电压 18V
  • 经济性
  • 高开关速度
  • 易于并联使用和驱动
  • 高阻断电压及低导通电阻
  • 优异的雪崩性能
  • 关断损耗不随温度升高而变大
  • 无卤，符合RoHS标准

#维安SiC MOSFET应用推荐

光伏：升压电路和逆变电路

  • 更高的频率，更低的开关损耗
  • 更高的功率密度

充电桩模块：维也纳整流和DCDC变换

  • 更高的功率密度
  • 更高的开关频率
  • 更低的谐波

辅助电源：WSCM01Kx170T2C

  • 更低的内阻，12V驱动电压下，Rdson仅为1Ω
  • 提供TO-263-7L和TO-247-3L，两种通用封装
  • 更低的损耗，更小的占板面积

#维安SiC MOSFET碳化硅定制模块产品系列

针对SiC模块的市场需求，WAYON同时也拓展了定制业务，可根据客户需求做全碳化硅，IGBT&SiC混合模块，SiC二极管的模块定制开发。

模块产品因其电路简单，回路寄生参数低；热阻低，散热好，功率密度高等特点，更适用于高可靠性、高功率密度要求的应用场景，并带来更高的产品价值。

全SiC定制模块产品：