金融界2024年1月24日消息，据国家知识产权局公告，普冉半导体(上海)股份有限公司申请一项名为“偏置电路“，公开号CN117437958A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种偏置电路，输入路径包括第一耗尽型NMOS管和第一可调电阻，第一耗尽型NMOS管的栅极连接参考电压，第一可调电阻和第一耗尽型NMOS管的源漏电流路径相串联；和输入路径互相镜像的中间路径包括二极管连接的第二耗尽型NMOS管和第三NMOS管以及第二可调电阻的串联结构并形成第一输出端；输出路径包括第四NMOS管，栅极连接第一输出端，源极作为第二输出端并输出偏置电压。第二耗尽型NMOS管和第三NMOS管分别用于对第一耗尽型NMOS管和第四NMOS管的阈值电压的温度系数进行补偿，第二可调电阻和第一可调电阻的比值用于调节偏置电压大小。本发明能抵消偏置电压的温度系数、精确调节偏置电压大小，能兼容低压应用，能为非易失性存储器的存储单元提供位线偏置电压。

本文源自金融界