金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，无锡新洁能股份有限公司申请一项名为“一种功率半导体器件及其封装结构和制作方法“，公开号CN117457646A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明涉及一种功率半导体器件及其封装结构和制作方法。包括第一芯片，第二芯片，电阻和二极管器件；第一芯片的漏极金属和第二芯片的集电极金属相连形成所述功率半导体器件的漏极；第一芯片的源极金属和所述第二芯片的发射极金属相连形成所述功率半导体器件的源极；所述二极管器件的阳极金属与所述第二芯片的栅极多晶硅相连；所述二极管器件的阴极金属与所述第一芯片的栅极相连形成功率半导体器件的栅极；所述电阻与所述二极管器件并联。本发明将硅基IGBT器件和碳化硅MOSFET器件集成，并使用电阻和二极管器件就能实现延时，同时降低器件的通态损耗和开关损耗，另外，该集成器件依然是三端口功率器件，其驱动方法和传统硅基IGBT器件或碳化硅MOSFET器件一致。

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