金融界2024年2月24日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种制备高质量单晶III族氮化物自支撑衬底的方法“，公开号CN117587513A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种制备高质量单晶III族氮化物自支撑衬底的方法，属于半导体技术领域。先利用键合技术在陶瓷衬底上转移单晶薄层材料，使二者键合成陶瓷异质集成复合衬底；再在其上外延生长高质量单晶III族氮化物（GaN或AlN）厚膜，最后去除陶瓷异质集成复合衬底，切片、研磨、抛光，获得高质量单晶III族氮化物自支撑衬底。该方法突破了传统生长单晶III族氮化物厚膜技术中对单晶衬底的严格要求，充分利用陶瓷衬底与III族氮化物热膨胀系数匹配的优点，实现了低热失配的高质量单晶III族氮化物自支撑衬底制备；基于较低的翘曲与较小的莫氏硬度，更好地解决了传统蓝宝石衬底剥离困难的问题；而且基于现有成熟的产业链，可实现大尺寸、低成本的晶圆级制造。

本文源自金融界