金融界2024年3月12日消息,据国家知识产权局公告,无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“一种优化器件特性的半导体结构及其制造方法“,授权公告号CN107658343B,申请日期为2017年10月。
专利摘要显示,本发明涉及一种优化器件特性的半导体结构及其制造方法,其特征在于:在所述有源区内,沟槽的下方设有第一导电类型区,所述第一导电类型区包覆沟槽的槽底;本发明通过在有源区沟槽底部设置第一导电类型区,使得有源区耐压低于终端保护区,器件耐压时击穿点位于有源区,同时还降低了器件导通电阻,且该器件制造方法与现有半导体工艺兼容,制造成本低,适应范围广,安全可靠。
本文源自金融界
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