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近日，ASML宣布其最新款EUV光刻机Twinscan NXE:3800E的安装工作已经完成，在半导体制造领域，光刻技术的进步是推动行业发展的关键因素之一。
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EUV光刻机利用极紫外线（EUV）光源，可以在晶圆上刻蚀出更小的特征尺寸，从而实现更高密度的芯片制造。Twinscan NXE:3800E是ASML继NXE:3400C和NXE:3600D之后的新一代产品，预计将支持3至2纳米的先进制程。
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根据ASML之前发布的2021年版路线图，Twinscan NXE:3800E在对准精度（Overlay）和产能上都有显著提升。与上一代3600D相比，3800E的每小时晶圆吞吐量从160片提高到了195片，增幅达到22%。而且，ASML还计划将这一数字提升至220片，以实现更高的生产效率。
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除了Twinscan NXE:3800E，ASML还在研发High-NA EUV光刻机Twinscan EXE系列，并计划在2025年推出NXE:4000F机型。这些新技术的推出，将进一步巩固ASML在光刻机市场的领导地位，并为全球半导体制造商提供更高效率和更高精度的制造解决方案。
随着半导体技术的不断进步，对于更小节点的需求也在不断增长。Twinscan NXE:3800E的成功安装，彰显了ASML在光刻技术领域的深厚实力。
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