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3月18日消息，据外媒报导，曝光机大厂艾司摩尔 (ASML) 交货了第三代标准型极紫外（EUV）曝光机，新设备型号为 Twinscan NXE:3800E，配备了 0.33 数值孔径透镜。该设备相较于之前型号为 Twinscan NXE:3600D 的标准型曝光机，性能有了进一步的提高，可以支持未来几年 3 奈米及 2 奈米制程的芯片制造。

报导指出，ASML 的Twinscan NXE:3800E 第三代标准型 EUV 曝光机是代表了标准曝光技术在性能和精度方面的又一次进步。新型号的 EUV 曝光机可达到每小时处理 195 片晶圆的处理速度，相较先前 Twinscan NXE:3600D 的设备，其处理速度约每小时 160 片，大概提升了 22%，而且将来有可能提高到每小时处理 220 片的速度。此外，新设备还提供了小于 1.1 奈米的晶圆对准精度。

报导强调，即便用于 4/5 奈米制程芯片的生产，Twinscan NXE:3800E 第三代标准型 EUV 曝光机也能提升效率，让晶圆制造企业可以提高芯片生产的经济性，达到更为高效，且更具成本效益的芯片生产。更为重要的一点，是 Twinscan NXE:3800E 的精度提升会让 3 奈米以下的制成节点受惠，这使得制造 2 奈米制程芯片和后续需要双重曝光的制造技术有很好的效果。

然而，Twinscan NXE:3800E 第三代标准型 EUV 曝光机的价格并不便宜，因为机器的复杂性和功能是以庞大的成本为基础，使得每套EUV 曝光设备的价格约在 1.8 亿美元上下。不过，比起新一代 High-NA EUV 曝光机的报价还是要低很多。先前有报导表示，业界首款采用High-NA EUV 曝光技术的 TWINSCAN EXE:5200 曝光机报价达到了 3.8 亿美元。

报导进一步指出，虽然 ASML 已经推出 High-NA EUV 曝光机，但是接下来仍会继续发展一班标准型 EUV 曝光机。未来，新款的 Twinscan NXE:4000F EUV 曝光机预计在 2026 年问世，这凸显了 ASML 对 EUV 制造技术持续推进的承诺。

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