3月13日，英诺赛科（Innoscience）在美国遭遇了一起专利侵权诉讼。

德国芯片制造商英飞凌（Infineon ）在加利福尼亚州北区联邦地区法院提起诉讼，指控英诺赛科侵犯了其一项氮化镓技术专利。

英诺赛科成立于2015年12月，总部位于中国苏州，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。根据该公司的官网信息，英诺赛科采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。

英飞凌是德国最大的半导体制造商，主要提供半导体和系统解决方案。该公司于1999年从西门子分拆出来。维基百科数据显示，到2023年，英飞凌拥有大约58,600名员工，是全球十大半导体制造商之一。

根据起诉书，涉诉专利名为“电子元件和开关电路”，专利号为 9899481（“481专利”），由美国专利商标局于2018年2月20日颁发，英飞凌通过转让获得该专利。

英飞凌在起诉书中称，英诺赛科在美国进口、使用、销售的氮化镓（GaN）产品直接侵犯了其481专利的一项或多项权利要求。

英飞凌要求法院裁定英诺赛科侵权，并要求获得损害赔偿及永久禁令。

相关报道显示，2023年5月，美国宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corp）也在加利福尼亚州中区联邦地区法院和美国国际贸易委员会提起了诉讼，指控英诺赛科侵犯了其四项氮化镓相关技术专利。

来源：知识产权家

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