金融界2024年3月22日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“自对准四重图案化半导体装置的制作方法以及半导体装置“，公开号CN117751427A，申请日期为2021年9月。

专利摘要显示，本申请实施例公开了自对准四重图案化半导体装置的制作方法以及半导体装置。自对准四重图案化半导体装置的制作方法包括：在待刻蚀层的表面依次形成第一抗反射层、第一牺牲层、第二抗反射层和第一图案化硬掩膜层；对第一图案化硬掩膜层进行光刻形成第二图案化硬掩膜层；基于第二图案化硬掩膜层为掩膜对第二抗反射层和第一牺牲层进行刻蚀，形成第二图案化牺牲层；去除第二图案化硬掩膜层和第二抗反射层，并基于第二图案化牺牲层形成第三图案化硬掩膜层；对第三图案化硬掩膜层进行光刻形成第四图案化硬掩膜层；基于第四图案化硬掩膜层对第一抗反射层和待刻蚀层进行刻蚀，形成图案化的待刻蚀层。实施本申请实施例，可以提高电路图案设计的自由度。

本文源自金融界