金融界2024年3月22日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“存储芯片及电子设备“，公开号CN117750776A，申请日期为2022年9月。

专利摘要显示，本申请公开一种存储芯片及电子设备，涉及半导体技术领域。存储芯片包括缓存器，缓存器包括：第一堆叠结构、第一导电柱、第一铁电层、读晶体管和写晶体管。第一堆叠结构包括至少一层第一板线层和位于第一板线层相对两侧的第一介质层。在第一板线层的数量为多层的情况下，该多层第一板线层相连接。第一导电柱贯穿第一堆叠结构。第一铁电层位于第一板线层和第一导电柱之间，且环绕第一导电柱。读晶体管的栅极与第一导电柱相连接。写晶体管的源极和漏极中的一者与第一导电柱相连接。上述缓存器采用铁电存储器形成，其铁电缓存单元呈2T1C结构。缓存器结构简单，占据的面积较小，有利于减小存储芯片中缓存器的面积占比，提高存储芯片的面积效率。

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