美国政府15日宣布，将向三星电子提供最多64亿美元的资金补贴。至于三星电子方面，也宣布将在美国德州投资超过400亿美元，建设包括2纳米制程芯片厂在内的一系列半导体制造设施。

与台积电一样，三星电子此次也与美国政府签订的是不具约束力的初步备忘录。在备忘录中，三星电子预计将在德州的两个地点创建一个半导体生态群，其中包括在泰勒市兴建两座先进逻辑芯片代工厂，分别采用4纳米和2纳米先进制程技术。另外，还将在泰勒市设立一座先进制程研发基地。

除了先进制程之外，三星电子也宣布将在泰勒市设立一座先进封装工厂，可进行3D HBM内存的生产和2.5D芯片的封装。最后'，还将在德州奥斯汀扩建现有半导体设施，扩大FD-SOI制程技术产能。

根据三星电子表示，这次投资将在未来5年为美国创造超过17,000个建筑产业工作职缺，和4,500多个高薪制造业工作机会。而作为配套，美国政府还将借由《芯片法案》的规定来提供4,000万美元的当地劳动力培训发展资金。

三星电子DS业务部总裁Kye Hyun Kyung表示，三星不仅仅是扩大生产设施，另外正在加强本地半导体生态系统，并将美国定位为全球半导体制造目的地。为了满足美国客户预期的需求增加，对于人工智能芯片等未来产品，三星电子的芯片厂将配备尖端制程技术，并帮助提高美国半导体供应链的安全性。

(首图来源：官网)