金融界2024年4月30日消息，据国家知识产权局公告，中兴通讯股份有限公司申请一项名为“高电子迁移率晶体管器件及其制造方法“，公开号CN117954485A，申请日期为2022年10月。

专利摘要显示，本发明实施例提供一种高电子迁移率晶体管器件及其制造方法。该器件具有一个结构单元或至少两个沿第一方向重复设置的结构单元；每个结构单元均包括源极、漏极、栅极以及沿第二方向依次层叠的衬底层、成核层、势垒层和具有垂直第一方向且平行第二方向之平分截面的缓冲层，缓冲层包括沿第二方向依次层叠的多个叠层，且各叠层在第一方向的长度逐渐减缩，每层叠层具有背对衬底层且用于层叠一层势垒层的外露表面；源极、栅极和漏极沿第三方向间隔叠设于所有势垒层上，第一方向、第二方向和第三方向两两相互垂直；相邻两个结构单元的衬底层、成核层、缓冲层、源极、栅极及漏极在相互贴靠的部位分别对应连接。本实施例的HEMT器件具有优异的线性度。

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