行业消息来源称，三星公司将在"VLSI Symposium 2024"（2024 年超大规模集成电路研讨会）上发表一篇论文，介绍在 2 纳米（SF2）工艺中应用的第三代 GAA 特性。据报道，三星的 2nm 芯片将采用这种全栅极技术，因为该公司的代工部门计划在 2025 年开始大规模生产 2nm 芯片。

三星尚未在其 3nm GAA 节点上获利，这主要归功于其产量低，导致与其他公司的合作不可行。

根据最新报道，这家半导体制造商的目标是推出该技术的三个迭代版本，类似于台积电在自己的3nm 节点上所做的那样，从苹果公司专用的"N3B"开始。三星实现了栅极全方位技术的商业化，该技术具有多项优势。例如，它可以调节、放大和控制半导体内的电流。

随着芯片体积越来越小，控制电流变得越来越困难，但 GAA 通过重新设计晶体管结构来提高能效，从而解决了这一问题。尽管有这些优势，但三星在争取各种客户供应晶圆方面基本上都不成功，因为它不断遇到产量问题。再加上高昂的生产成本，该公司的潜在客户并不看好这种合作关系。

此前，我们曾报道三星的 3 纳米 GAA 良率仅为可怕的 20%，但这家代工巨头已经成功扭转了局面，使这一数字达到了原来的三倍。不过，在整体良率方面，三星仍落后于台积电，因此高通（Qualcomm）和联发科（MediaTek）只对这家台湾半导体公司的技术表现出信心也就不足为奇了。三星在其 GAA 工艺中开发了一种名为"MBCFET"的专有技术，每一次 3 纳米迭代都会带来性能和效率的提升。

三星已计划推出其 3 纳米 GAA 技术的第三次迭代，据说该技术可将功率损耗降低 50%以上，并因面积缩小而实现更高的集成度。也许通过未来的研究，三星可以提高产量，使其达到足够高的数字，从而使客户开始对 3 纳米 GAA 和 2 纳米 GAA 版本产生兴趣。