金融界2024年5月3日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法“，公开号CN117979686A，申请日期为2022年10月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：沿第一方向排布的晶体管和位线；晶体管包括：沿第二方向延伸的栅极结构，以及沿第二方向具有相对的第一端和第二端的半导体通道；位线与第一端接触连接，且位线沿第三方向延伸；下电极层，与第二端接触连接，下电极层包括：沿第二方向延伸的第一区，以及均沿第一方向延伸的第二区和第三区，第一区连接第二区和第三区，第三区与第二端接触连接，第二区与位线沿第一方向正对，且位线和下电极层之间具有间隔。本公开实施例至少有利于在提高半导体结构的集成密度的同时，提供一种新型的下电极层，以提高半导体结构整体的电学性能。

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