据韩国每日经济报道，全球两大内存芯片制造商三星电子公司和SK海力士公司预测，由于人工智能应用对高性能芯片的需求不断增长，2024年DRAM和高带宽内存（HBM）价格将保持坚挺。

为满足市场需求，他们已将超过20%的DRAM生产线转为HBM生产线。这一举措将导致DRAM产量减少，而HBM芯片的产能增加。

5 月9 日至10 日，在由三星证券主办的投资者关系会议上， SK海力士首席执行官郭能静（Kwak Noh-jung）透露，今年和2025年HBM芯片订单几乎售罄，显示出高HBM芯片需求。一位SK海力士官员表示，公司已与客户签订具约束力的HBM芯片供应合同，确保供应量和利润率稳定。

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据悉，八层HBM3E芯片占据主要客户Nvidia订单的大部分。尽管HBM3价格下跌，但HBM3E价格上涨将抵消这一影响，有望维持利润率水平。三星电子官员表示，其HBM产出已售罄，而2025年HBM不会出现供过于求的情况。

此外，三星计划在第二季度开始生产12层HBM3E芯片，展示其在HBM3E市场的领先地位。未来，三星将开发第六代HBM（HBM4）并于2026年量产，采用混合键合技术连接DRAM的顶部和底部。

三星内部人士表示，DRAM价格短期不会下跌，而SSD的需求增长也是长期趋势。