目前，全球芯片制造技术最强的，应该是台积电和三星了，已经实现了3nm。预计在2025年，也就是明年，这两家厂商会实现2nm。
不过英特尔也表示，他要在2024年，也就是今年实现2nm，那至于是不是真的，这就不清楚了。
而我们国内的芯片制造水平又是多少呢？之前中芯国际官方公布是14nm，后来就不再对外公开自己的工艺了。
不过大家也清楚，去年华为mate60系列手机上使用的麒麟9000S，以及今年Pura70上使用的麒麟9010，明显不是14nm工艺，比这个更先进。
但是肯定比台积电、三星的3nm要落后2代或以上，于是很多人认为接下来中国芯的目标，主要是在工艺上抓紧突破，早日实现3nm甚至2nm的水平，追上甚至超过台积电、三星、英特尔这三大巨头。
当然这种想法是很好的，方向也是很正确的，但是考虑到我们当前的技术实情，以及产业链情况，这个目标却不是主要的。
我认为当前中国芯的主要目标，不是去强上3nm工艺，而是利用现有的7nm工艺，去实现3nm甚至2nm性能、水准等，这才是主要目标。
很多人看到这里估计要吐槽了，用7nm芯片，怎么去实现3nm甚至2nm的性能水准呢？既然7nm这么厉害，那还要3nm、2nm干什么？
先别急着下结论，麒麟9000S、麒麟9010是等效7nm工艺的，但它是不是能够媲美高通5nm的芯片骁龙888、骁龙888+，这不是最好的例子么？
用7nm芯片工艺，实现现有的3nm\2nm的水平，并不是天方夜谭，方式并且都有好多种的。
第一种是用新的材料，比如碳化硅，碳基等，改用新的材料，性能能够天翻天覆，之前科学家研究过，如果用碳基芯片，40nm就能达到7nm的性能水平。
另外就是在架构、设计上下功夫，比如华为董事张平安，前几天就表示称，我们得不到5nm、3nm，搞定7nm就很好了，我们的创新方向不能在单点的芯片工艺上，我们的创新方向应该在系统架构上。
他其实已经给大家提出了想法，那就是大家不要总想着突破5nm、3nm，全面搞定7nm，在7nm工艺上去创新才是当前符合我们芯片技术实力的。
而这个创新，就是指材料、设计、架构，甚至封装方式等，比如用小芯片（Chiplet）的技术，进行芯片堆叠等。
事实上，我们都清楚，在7nm工艺时，不需要用到EUV光刻机，用浸润式DUV光刻机也能够制造出来，但进入到5nm时，就需要用到EUV光刻机了。
而目前我们买不到EUV光刻机，所以必须突破这个才行，而EUV光刻机的突破，可不是短时间之内就可以搞定的，所以我们就只有先在7nm工艺上，用架构、设计等来改进，让其达到3nm、2nm的水平，也一样能满足我们的需求了。
目前真正用到3nm工艺的芯片，主要是GPU、GPU、Soc，但这些也并不是非得3nm，事实上，只要性能好了，功耗低了，7nm也一样可以的。
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