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全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布，已完成对氮化镓（GaN）全球领导者Transphorm的收购。随着收购的完成，瑞萨电子将立即开始提供基于GaN的功率产品和相关参考设计，以满足对宽带隙（WBG）半导体产品不断增长的需求。

与传统的硅基器件相比，氮化镓和碳化硅（SiC）等WBG材料具有更高的功率效率、更高的开关频率和更小的尺寸，被认为是下一代功率半导体的关键技术。在电动汽车（EV）、逆变器、数据中心服务器、人工智能（AI）、可再生能源、工业电源转换、消费类应用等需求的推动下，氮化镓和碳化硅产品预计将在未来十年快速增长。

瑞萨电子高级副总裁兼电源总经理Chris Allexandre表示：“通过融合了两家公司技术的交钥匙参考设计，客户可以立即从新的氮化镓产品中受益。将氮化镓添加到我们的产品组合中也加强了我们开发产品和技术的承诺，使人们的生活更轻松。提供强大和可持续的电力解决方案，以节省能源、降低成本并最大限度地减少对环境的影响，就是这样做的。”

投资电力电子业务是瑞萨电子实现可持续长期增长战略的重要组成部分。瑞萨电子最近为支持这一细分市场而采取的其他举措包括：开设甲府工厂，这是一家专门用于电源产品的300毫米晶圆厂;在高崎工厂新建碳化硅生产线;并与Wolfspeed达成协议，以确保在未来10年内稳定供应SiC晶圆。随着氮化电子技术成为瑞萨电子产品组合的一部分，瑞萨电子有望提供更全面的电源解决方案，以支持客户在各种应用中不断变化的需求。

在完成对Transphorm的收购的同一天，瑞萨电子推出了15种新的产品组合，这些产品是面向市场的参考设计，将新的GaN产品与瑞萨电子的嵌入式处理、电源、连接和模拟产品组合相结合。其中包括Transphorm为车载电池充电器集成的汽车级氮化镓技术的设计，以及用于电动汽车的三合一动力总成解决方案。