就在ASML的垄断地位看似坚不可摧之际,一条新的道路悄然出现。在EUV光刻机中,最重要的EUV光源部分,有了新的解决方案——EUV-FEL技术。这一新技术不仅成本更低,功率更高,技术更为先进,而且有着广阔的发展前景。

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相较于旧有的“激光等离子体EUV光源(EUV-LPP)”方案,EUV-FEL技术省去了复杂的锡珠蒸发和二氧化碳激光器激发的过程,大大简化了生产流程,降低了成本。同时,其功率转化率高达30%以上,远高于旧方案的3-5%,使得EUV光刻机的耗电量大大降低,成为真正的绿色制造。

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更值得一提的是,EUV-FEL技术还可以升级为BEUV-FEL技术,产生更短的波长(6.6-6.7 nm),进一步提高了分辨率,使得制造更先进的芯片成为可能。因此,科学家们普遍认为,EUV-FEL光束将成为未来EUV光刻机的理想光源。

目前,美国、日本等国的科研机构已经开始研究这一技术,虽然短时间内还无法利用这一技术制造出EUV光刻机,但相信在不久的将来,这一技术将引领半导体制造行业进入一个新的时代。届时,ASML的垄断地位或许将受到挑战,而整个半导体行业也将迎来更为激烈的竞争和更为广阔的发展空间。