金融界 2024 年 8 月 20 日消息，天眼查知识产权信息显示，山西中科潞安紫外光电科技有限公司取得一项名为“InAlGaN 超晶格结构生长方法、超晶格结构、外延结构和芯片“，授权公告号 CN112259657B，申请日期为 2020 年 10 月。

专利摘要显示，本发明涉及一种 InAlGaN 超晶格结构生长方法、超晶格结构、外延结构和芯片，生长方法包括以下步骤：（1）、生长 InGaN 阱层，所述 InGaN 阱层的生长温度为 600℃～700℃；（2）、在所述 InGaN 阱层上生长 InAlGaN 盖层，所述 InAlGaN 盖层的生长温度为 600℃～700℃；（3）、在所述 InAlGaN 盖层上生长 GaN 盖层，所述 GaN 盖层的生长温度为 600℃～700℃；（4）、在所述 GaN 盖层上生长 n 型 InAlGaN 垒层，所述 n 型 InAlGaN 垒层的生长温度为 600℃～700℃；（5）、重复上述步骤（1）~（4）多次，形成多周期循环结构的 InAlGaN 超晶格结构。其能够有效改善核心层量子阱层的质量，降低阱垒层的缺陷，从而提高紫外 GaN 基 LED 的光效和可靠性。

本文源自：金融界

作者：情报员