金融界 2024 年 8 月 23 日消息，天眼查知识产权信息显示，中芯北方集成电路制造（北京）有限公司申请一项名为“SRAM 测试结构“，公开号 CN202310187120.6，申请日期为 2023 年 2 月。

专利摘要显示，本申请提供一种 SRAM 测试结构，包括：若干呈阵列分布的 SRAM 位元，所述 SRAM 位元至少包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；第一金属层，位于所述SRAM 位元上方，包括第一存储节点线和第二存储节点线；第二金属层，位于所述第一金属层上方，包括迂回布线的第一电源线、第一位线及第二位线；第三金属层，位于所述第二金属线上方，包括迂回布线的字线和第二电源线；其中，至少一个 SRAM 位元上方的第二金属层和第三金属层具有开口，所述开口暴露下方的第一存储节点线和第二存储节点线，且暴露出的第一存储节点线和第二存储节点线连接相应的测试衬垫。

本文源自：金融界

作者：情报员