金融界 2024 年 9 月 1 日消息，天眼查知识产权信息显示，无锡松煜科技有限公司取得一项名为“用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法“，授权公告号 CN118127485B，申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法。本发明方法通过在载体舟中增设降速板、提速板以及舟盖，以及在原子层沉积腔中增加反射板的设置，对流经载体舟内的前驱体气流量及气流方式进行优化，使在 TOPCon 电池硅片正面沉积得到厚度均匀性好的氧化铝膜，且该硅片背面不被绕镀。特别地，反射气进气的方式减缓前驱体气体对背面紧贴的 2 片硅片的冲击，避免 2 片硅片背面分离，进而避免氧化铝膜绕镀。

本文源自：金融界

作者：情报员